范德堡多晶硅热导率测试结构.pdf

第25卷　第4期 固体电子学研究与进展 V o l. 25,N o. 4　 　　　　　　　　 　　　　　　　　 2005 年 11 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE N ov. , 2005　 材料与工艺 范德堡多晶硅热导率的测试结构 戚丽娜　许高斌　黄庆安 ( 东南大学 教育部重点实验室, 南京, 210096) M EM S 收稿,收改稿 摘要: 在 . . 等研究的范德堡热导率测试结构的基础上, 提出了一种改进结构, 利用一组测试结构来 O M Paul 测得多晶硅薄膜的热导率。在十字型结构中一个含有多晶硅薄膜, 而另一个不含有多晶硅薄膜, 根据建立的热学 模型, 可以获取多晶硅薄膜的热导率。用有限元分析软件AN SYS 进行了模拟分析, 分析表明模拟值与实验值能 较好地吻合, 且辐射散热是基本可以忽略的, 从而验证了模型建立的正确性, 说明该方法能够实现对多晶硅薄膜 的测量, 且具有较高的测试精确度。 关键词: 范德堡测试结构; 热导率; 多晶硅薄膜; 热响应; 十字型 中图分类号: TN 402; TN 405　　文献标识码:A 　　文章编号:(2005) 0456905 Van D er Pauw Test Structure of the Thermal Conductiv ity of Polysilicon Th in F ilm s 　 　 ’ Q I L ina XU Gaob in HUAN G Q ing an (K ey L aboratory of M EM S of M inistry of E d ucation , S ou theast U niversity , N anj ing , 210096, CH N ) Abstract: A m icrom ach ined therm al V an D er Pauw test structu re is im p roved. Tw o . structu res to m easu re conductivity of po lysilicon th in film s are u sed O ne cro ss shaped layers . . con sists of po lysilicon th in film s T he o ther cro ss shaped layers has no po lysilicon th in film s M ak ing u se of the difference betw een the s