高知工科大学工学研究科基盘工学専攻电子光.PDF

平成13 年度 修士論文 p-GaN へのオーミックコンタクトと ナノクラスタカーボンの導電特性に 関する研究 指導教官 成沢 忠 教授 高知工科大学 工学研究科基盤工学専攻 電子･光エレクトロニクスコース 学籍番号 1045018 高橋 秀和 目次 第1章 序論 1-1 背景と目的 1-2 GaN とは 1-3 接触抵抗 1-4 本論文の構成 第2章 金属電極作製技術と評価技術 2-1 はじめに 2-2 金属電極作製技術 2-2-1 真空蒸着法 2-2-1-1 抵抗加熱蒸着法 2-2-1-2 電子ビーム蒸着法 2-2-2 リフトオフ 2-3 固有接触抵抗の測定技術 2-3-1 長方形電極を並べた場合 2-3-2 円形の電極を使った場合 2-4 アニール 2-5 まとめ 第3章 p-GaN への低抵抗オーミックコンタクトの研究 3-1 はじめに 3-2 これまでの研究レビュー 3-3 実験 3-3-1 金属の蒸着 3-3-2 リフトオフ 3-3-3 アニール 3-3-4 RBS による膜厚測定 3-4 c-TLM による固有接触抵抗の測定 3-5 まとめ 1 第4章 カソードアーク法によって室温成長させたナノクラスタ カーボンの導電特性 4-1 はじめに 4-2 ナノクラスタカーボンのバルクの導電特性 4-2-1 実験 4-2-1-1 カソードアーク法によるナノクラスタカーボンの成長 4-2-1-2 膜の構造 4-2-1-3 金属の蒸着 4-2-1-4 電気伝導率の温度依存性 4-2-1-5 白色光に対する応答の測定 4-2-2 実験結果と考察 4-2-2-1 電気伝導率の温度依存性 4-2-2-2 白色光に対する応答 4-3 ナノクラスタカーボン薄膜のバックコンタクトの効果 4-3-1 実験 4-3-2 実験結果 4-4 まとめ 第5章 本論文の結論 5-1 p-GaN への低抵抗オーミックコンタクトについて 5-2 カソードアーク法によって室温成長させたナノクラスタカーボン の導電特性について 参考文献 本論文に関する発表 謝辞 2 第1章 序論 1-1 背景と目的 今日のエレクトロニクスの中心はSi やGaAs であり、今後もそれらが中核を 背負っていくと思われる。しかし、Si デバイスは集積度が