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温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响! - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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(4’%S?%B?M ( ?$(#4S ;=U; 7)VWP=; WPXP=; ’%B =089 : 70+2 : W5/ :
温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响!
额尔敦朝鲁!
(河北科技师范学院数理系,秦皇岛 ##$ )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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采用)*+,-./012 线性组合算符和3.2 变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声
子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式 以
:
量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子 界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态
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能量的移动随温度的升高而增大,而由激子 体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动
4
随温度的升高而减小:
关键词:量子阱,强耦合激子,极化子效应,温度依赖性
: ,
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的结合能:
(I 引 言 然而,随着技术的进步,在本领域仍有一些值得
关注的课题急待研究 比如,)量子阱和超晶格中
: (
由于半导体量子阱和超晶格具有大的激子结合 激子 声子强耦合体系的问题 不难看出,上述人们
4 :
能、大的光学非线性和快的非线性响应速度,它在有 关于 激子的工作大多都集中在激子 声子弱、
K%C 4
源和无源光电子器件中都具有广泛而诱人的应用前 中耦合情形 弱耦合理论对 族化合物材料无
: 4
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