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IRG4PC40UD - International Rectifier（IRG4PC40UD国际整流器）
PD 9.1467D
IRG4PC40UD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBT
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
FeaturesFeatures C
Features
FeaturesFeatures
• UltraFast: Optimized for high operating VCES = 600V
frequencies 8-40 kHz in hard switching, 200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter G VCE(on) typ. = 1.72V
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3 @V = 15V, I = 20A
GE C
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
n-ch an nel
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies
available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent TO-247AC
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Absolute Maximum Ratings
Parameter Max. Units
VCES Collector-to-Emitter Voltage
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