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电晶体放大器与偏压
單元十
電晶體放大器與偏壓
A(s)=AMFH(s)FL(s),放大器中頻帶之分析步驟:
(1) 放大器電路之直流偏壓點( DC Bias ):VA、VT、IB、IC
(2) 小訊號等效電路參數值( ,,…等 )
(3) 繪出ac小訊號等效電路:
(a) DC電流源斷路、電壓源短路( 一般即接地 )
電晶體以等效電路取代
CE、CC:π模型,CB:T模型
耦合與旁路電容:短路( 低頻分析時不可忽略 )
電晶體內部電容:開路( 高頻分析時不可忽略 )
(4) 克希荷夫、歐姆定理分析電路以求增益與輸出入阻抗等
實習10-1:共射極放大器偏壓電路
偏壓之目的:建立穩定的工作點。
BJT固定的IC (IE):(1)可計算,(2)可預測,(3)對溫度變化(VT)不敏感,
(4)β值變化時不會漂移很多。
共射極組態固定偏壓電路,又稱為基極偏壓。
輸入電流:
輸出電流:IC=(1+β)ICO+βIB≒βIB
輸出電壓VCE:VCE=VCC-ICRC
於作用區有最大訊號振幅,VCE設在電壓軸中央VCE=1/2VCC
偏壓電路的設計:
集極電阻RC:
基極電阻RB: ≒/β,
圖10-9 共射極固定偏壓電路
實習步驟
(1) 圖10-10電路。
(2) 調整VR,使=1/2Vcc=5V。
(3) 測﹑﹑﹑值,並計算β值,填於表10-1中。
(4) 烙鐵加熱電晶體20秒,測及值,填於表10-1中。
(5) 以電阻5.1k(取代射極電阻1k(,重覆(2)~(4)。
(6) 以另一顆同型電晶體取代原電晶體,重覆(2)~(5),比較兩者之差異。
圖10-10 共射極固定偏壓之實驗電路
表10-1 共射極固定偏壓之實驗數據
RE RB
(() IB
(uA) IC
(mA) β VE
(V) VCE
(V) VCE(V)
(加熱) IC(mA)
(加熱) CS9013或 1k( Q2N2222(1) 5.1k( CS9013或 1k( Q2N2222(2) 5.1k(
實習10-2:共射極放大器
圖10-11之CE放大器射極電阻RE可以穩定偏壓點,但放大率衰減。
1. RE兩端接射極旁路電容( Bypass Capacitor )C3,交流頻率範圍如短路,訊號電流ie流經C3,RE旁路沒效應。直流IE,C3阻抗變大,IE流經RE。
2. 耦合電容C1、C2及旁路電容C3在交流頻率下,阻抗很小,視為短路。直流穩態下,因高阻抗而斷路,隔離級間DC電源,使不互相影響偏壓工作點。
3. 由圖10-13得: ( 10-2 )
(1). Ri=RBB//hie 或 Ri=RBB//rπ ( 10-3 )
(2). RO=RC ( 10-4 )
(3). vo=-ioRC=-hfeibRC 或 =-βibRC ( 10-4 )
=hfe〔vi/hie〕RC=-hfe/hie×Rcvi=-gmRCvi
Av=vo/vi=-hfeRC/hie=-gmRC ( 10-5 )
(4). 分流定理:輸出端:io=hfeib,故io/ib=hfe
( 10-6 )
圖10-11 共射極組態放大器
圖10-13 共射極組態放大器的近似混合模型電路
4. CE放大器:高增益,高輸入電阻。要得到較穩定操作點,需加射極電阻,代價為降低增益。若有By-Pass電容,則可保高增益之優點。
5. 在有旁路射極電容的CE電路,保留一部份射極電阻無旁路
(1) 增加輸入電阻。
(2) 減少訊號源耦合到放大器的訊號損失,總電壓增益降低很多。
(3) 延展放大器頻寬。
(4) 可用較大振幅的訊號,不會引起非線性失真,可以增加訊號處理能力。
實習步驟
(1) 圖10-15電路,開關SW open,不加CE。
(2) 調整VR 10 k(,使VCE=1/2VCC=6V。
(3) 輸入信號(S為信號產生器1kHz的正弦波。
(4) 調整(S(函數產生器之輸出振幅)使放大器輸出達最大不失真波形。
(5) 示波器觀測放大器各點波形,繪於表10-1中。
(6) 利用表10-1之數據,計算表10-2各值。
(7) 開關SW關閉( on ),電容CE=47uF,重覆(4)~(6)。vS=80~120mV
(8) 示波器置於雙軌跡AC檔,觀測(O與(S相位。
圖10-15 共射極放大器實驗電路
表10-1 共射極放大器實驗結果波形
未接CE 接上CE 波形 VP-P值 波形 VP-P值
(S DC檔(DC+ac)
ac檔
vS需要調小
vO才不會失真
(i
比vs小
(C
(E
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