等离激元新材料组装获新进展新加坡开发出异质集成 - 中国光学期刊网.pdf

新加坡开发出异质集成III-V 族/ 硅结构激光器 新加坡科技研究局开发一个紧凑型异质集成III-V 族/ 硅 实现总体制造集成的光电系统，仅占用芯片上更少空间。 激光器结构，包括硅上III-V 族脊形波导增益截面， 通过低温等离子体辅助直接晶圆键合，在300 nm 厚 III-V 族/ 硅光垂直互连接入 （VIA ）和绝缘体上硅 （SOI ） 的SOI 层上制备III-V 族半导体层，刻蚀后形成硅基III-V 纳米光波导截面，用于建立完全集成的光电系统。 族脊波导增益截面。通过制备锥形III-V 族和SOI 下面同方 紧凑型激光器体积小，可以集成在芯片上，用于包括 向长度50 μm 的光VIA ，有效将光耦合到600 nm 宽的硅 数据通信和存储的各种广泛应用场合。硅和III-V 族结构组 纳米光波导，或反之亦然。制作的法布里- 珀罗激光器可发 合的激光器是特别有吸引力芯片上光源。但要使此激光器 射连续波激光，室温的阈值电流为65 mA ，单面斜度效率 有用，必须紧密束缚光，使激光效率最大化，并应有效地 为144 mW/A 。电流为100 mA 时最大单面发射功率约为 共享激光与光波导。 4.5 mW ，边模抑制比为30 dB。 研究人员认为，他们的新结构有希望作为目前硅光电 这个经验证的新异质集成III-V 族/ 硅激光结构可实现 技术的一个芯片上光源，而且还能作为一个新的集成平台。 激光与系统级芯片更复杂的组态结构，适于各种应用场合。 它改进了传统制造工序，即组件是单独制备再结合，可以 德国开发新式激光制导硅镜 中科大高维固态 可应用于高功率激光焊接切割 量子存储器研制成功 德国Fraunhofer 硅技术研究所和材料技术的工程师共同开发了新式激光 中国科学技术大学郭光灿院士领导 制导硅镜，以应对高功率激光焊接切割。微机电体系(MEMS) 转向镜， 的中科院量子信息重点实验室李 是蚀刻的硅片，能够应对千瓦级的能量，而不是传统的毫瓦级。 传锋研究组，在固态系统中首次实现对 小巧的MEMS 镜能够以极高的速度来回旋转，频率达0.1 MHz。试验 三维量子纠缠态的量子存储，保真度高 表明，MEMS 镜具有广泛的适用性，例如切割、焊接和外表硬化。它也能 达99.1 ％，存储带宽达 1 千兆赫，存 够非常便捷地焊接铝合金材料。铝合金焊缝通常多气孔，容易构成气泡。而 储效率为20 ％，而且该存储器具有对 MEMS 能够操控热量的输入，直至气泡彻底排出。 同时，它还能削减切割 高达51 维的量子态的存储能力。 边际的粗糙度，避免切开边际毛刺构成。 李传锋研究组2012 年建立我国首 全新的MEMS 镜直径为20 mm ，能够处理较大的激光光束输出。 个固态量子存储研究平台，并在国际上 率先实现光子偏振态的两维固态量子存 储，创造了99.9 ％的保真度这一世界 等离激元新材料组装获新进展 最高水平。他们利用光的轨道角动量进 行编码，首次研制出窄带高维纠缠光源， 科院固体物理研究所李越研究组和济南大学教授李村成研究组合作， 中在三维新型等离激元材料的构筑及其强等离子基元共振耦合的研究方 然后将此纠缠源存入固态量子存储器 中，结果显示三维纠缠态的存储保真度 面取得重要