射频电路设计（第6章）.ppt

射频电路设计;目 录;第六章有源射频元件;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1半导体基础;6.1.3 肖特基接触 肖特基分析了当一金属电极接触一半导体时所涉及的物理现象。 如：如果P半导体与铜或铝电极接触，就有电子向金属扩散的趋势，而在半导体中留下空穴，使其中的空穴浓度增加。这种效应的结果是改变界面附近的价带和导带能级。见图6．9(a）所示能带结构中的局域变化。 由于有更高的空穴浓度，价带弯向费米(Fermi)能级。由于更低的电子浓度、导带向离开费米(Fermi)能级的方向弯曲。对这样一种组态，不管外加电压的极性，总是得到一低电阻的接触．如图6．9(b)所示。 当金属电极与N半导体接触时，出现更类似于PN结的性能：由于电子从半导体向金属迁移，在半导体中产生一小的正电荷密度。因为：当两种材料分开时，半导体(较低的逸出功)相对于金属(较高的逸出功)有较高的费米能级(较低的逸出功)。然而一旦两种材料接触时，费米能级必须是相同的，就产生两者能带的弯曲。电子从N型半导体扩散出去．留下正空间电荷。耗尽层增大．直到空间电荷的静电排斥作用阻止电子进一步扩散为止。图6．10给出两材料在接触前后的情况。; 与金属逸出功WM＝qVM有关，其中VM记为费米能级与电子逸出成为自由粒子时参考能级之间的差； 对某些常用金属的VM值见表6．2。上式中qx电子亲和能势是从导带到该同 一参考能级来测定的．电子亲和电势x的值对si为4.05V，对Ge为4.07 v;;6．2 射频二极管;6．2 射频二极管; 在高频肖特基二极管的实际电路中，即使是很小的金属接触(典型的接触面直径为10μm或更小)也会引起相对大的寄生电容。此时可通过附加一绝缘环减少杂散电容，如图6．13所示 。 由电流表达式围绕静态工作点VQ展开，便可求出小信号结电容和结电阻： 二极管总电压可写成直流偏置电压VQ和一交流信号载波频率分量Vd：;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6.2射频二极管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;6．3 BJT双极结晶体管;;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．4射频场效应晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管;6．5 高电子迁移率晶体管