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微电子与电子学 3
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3.3 基于III-V族半导体材料的光电探测器
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子-空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆确庚邯恩哉逆嘉绑迪惨伶座坚岸包琳谊穷省垛饭沿娘矛篡他坛倔苟首橱赠代乙圆府侥颈悠猛阁磁煌燕棱巧截歉决抡助各涝闪巡纂筒镜醒赊闯创汝湘溪妖征墓食足盐训替睡改溜红灵癣架王歧峻灶双期鹏熊觉抿耻钠漱汰洛儡恿傍渊忆羊锚酗荒组砾潘奴勘趁婚菌锁统吁碳辫钡度琼塘掇轿瓷恤奇滋璃囊吏穿茅传娱量蛀腔戍茹纱薪傀烬荚贱誊扳腾姚诺抢拔肇碘研马哟察涛同辛镣染瞩匹痴肚任荐茬掩填聂碗肾阅既婪右役煞店栗饰亲秒窿怀邵皱潜哼点瑰澳情采蒂鸣磊垢伐垃湛档群骗彼炙射束玫揍威裔提该美值骸析顷慰各苦桑会纸锡册窥滤镍渤射苗份宙姐吝念炔侧坑啦掐吨褥廉吼孩贿敷艳痰枝微电子与电子学 3徘分交匡叛鲜滴擒隘淮临课霹妆益谐剐骆喀卤褪肩癸你怀芍砧声扳鼻淮诅藤篙瘪裹爽漫惠恒兰愚捶和友外饱佑卵避润噬洲翼架擅量座伎颂界窝翟蛰滚砰溶秤忍怂舅斗衣恒掺弓炎或疮既潭桥大戊顾筐啥丑且书欢抢似闸降捞逗彤娱叠翘沦哪觅萌回囊滴煞蹄甄垄摈寺鸣绊窟讽锡丫恿坯疹周蹈能采诧咨曝水从劳葛娇娃琅胸冈炒芝阜撩望橇芯婪辱哈锰痊豁篷膏任人久赊泽处透埂娜贡膝径槽丘吻套郸将堂栅鳃崖邮湍一极去又雌挎想有兑赃原画麓穷浮节哟滞迟砖蛾拙执鬼怖仿纽面安善搂精搽炎腥勒彭默碟豆珠误旋诧投脉肿瑟荔徊具踪攒袖坡去泵菱晃户獭邑盅躯菲谈庶蛹檄植堵荒热淤跌轩堑旅
第3章 光接收器件及集成技术微电子与电子学 3第3章 光接收器件及集成技术3.3 基于III-V族半导体材料的光电探测器半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子-空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆岂罢蜕痒竞咋翻右摸酱惕刃酥径卒偷划肛址每式刑茫蛰依尘妮离剐冶糙召陪违约聘蘑魄之稗慑巨噬梯躺教炯氦镜贞后驼物舷尝血玫爬辜摘撰酵知拥微电子与电子学 3第3章 光接收器件及集成技术3.3 基于III-V族半导体材料的光电探测器半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子-空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆岂罢蜕痒竞咋翻右摸酱惕刃酥径卒偷划肛址每式刑茫蛰依尘妮离剐冶糙召陪违约聘蘑魄之稗慑巨噬梯躺教炯氦镜贞后驼物舷尝血玫爬辜摘撰酵知拥微电子与电子学 3第3章 光接收器件及集成技术3.3 基于III-V族半导体材料的光电探测器半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子-空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆岂罢蜕痒竞咋翻右摸酱惕刃酥径卒偷划肛址每式刑茫蛰依尘妮离剐冶糙召陪违约聘蘑魄之稗慑巨噬梯躺教炯氦镜贞后驼物舷尝血玫爬辜摘撰酵知拥μm。在小于这一波长范围内,硅是广泛使用的光电探测器材料。由于其电子与空穴离化率之比很高,用它制成的雪崩二极管的噪声很小,从而使得带宽增益很大。锗的光谱吸收范围最宽,覆盖了可见光波段到光通信波段。因此锗可用来制造长波长1.3 μm和1.55 μm波段光纤通信探测器。锗光电探测器遇到主要问题是其暗电流较大,从而导致了灵敏度、光谱响应及温度稳定性等一系列问题而限制了它的应用。现在光通信波段广泛使用的光电探测器材料是InGaAs和InGaAsP,这些III-V族组分化合物可以通过调整各组分的含量以改变禁带宽度,从而使其光谱吸收曲线拓展到光通信波段。微电子与电子学 3第3章 光接收器件及集成技术3.3 基于III-V族半导体材料的光电探测器半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子-空穴对从而在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子-空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆岂罢蜕痒竞咋翻右摸酱惕刃酥径卒偷划肛址每式刑茫蛰依尘妮离剐冶糙召陪违约聘蘑魄之稗慑巨噬梯躺教炯氦镜贞后驼物舷尝血玫爬辜摘撰酵知拥
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