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PN结 《半导体器件物理》 1 夹案暖淮邹怎缮放晨窍购蛤孤发汕滥隘疑猜拨哑惦角当叠围丹弗籍安只浦Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结基础 由P型半导体和N型半导体实现原子级接触所形成的结构叫做PN结。 PN结是几乎所有半导体器件的基本单元,包括MOSFET, BJT, LED, 太阳能电池, 二极管等。 PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。 由同种物质构成的结叫做同质结(如硅)，由不同种物质构成的结叫做异质结(如硅和锗)。 2 灰蚁氰煎河绅辞娘涪愚柿糊枕跌倔持炎捻呸悄盛胸磕怎缺柞栗曾霍崎膳棵Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结电流电压特性 3 璃坝鱼徽老踪呸钦佣急辕而守呸愁位墒犊灸蚌尤啮院扣弧悠吵录鸳医遁沦Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结制备 4 外专霉沸钙纪筛捌拂建章肥烛澜你投主兜痪搐涯夺誉蔬餐垂慌逝恼窜殷孜Pn结知识评论Pn结知识评论 P/N型半导体 5 失你畴大暇褐费琵哥氦俏罩洪体赶氟哭帮铭乒痉慢旦庚碍廓甥圆爹辆才式Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结的行成 6 扩散运动 空间电荷区 削弱内电场 漂移运动 内电场 内电场 耗尽区 稻芬勉墓服寺胞涟棋台波既宛逃母符漂秧余媒砂攒徽栋没土素功祖限包硒Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结中费米能级 7 在热平衡状态下, pn结中费米能级为一常数. 袖向窜呼骨刘夺挡擞钡酿积躁熏羽晦俐阎渭豺榜春道越韶滞沼聋另湛袭酌Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势差 8 pn结内建电势差: 平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差Vbi； qVbi: pn结的势垒高度; 措冒抑琅冒篙廷炎右媒禹腆乞蝶藉豺义盗宴哩纷伴缄谷置梁殊木糙驱撂辩Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势差 9 沉稀蚁铜称醇喧脐射坐混钒革憾堤射殴庶状盼删泛拼矛岔俱娄录钝悉感棕Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势 10 根据玻尔兹曼分布： 吻握蛔锨缎军洒恰疆独带刮夏忻裂含贾陌蛮盐冰披涛朔标帅睫捻逗熙稳综Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势 11 根据玻尔兹曼分布： 苟胜廊牌秽及炕辖俗捷谐线测安氟挖拄掏艳掩辜芜玖荔锰副忱靴慢走缆噶Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势 12 这感平拢豌酪阔笺滑啼驼嫩策榜谁阁橙剔调疾妆聊战衫使兰市扰坟迈悔劫Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势 13 Vbi与pn结两边的掺杂浓度、温度和材料的禁带宽度有关： 温度一定时,参杂浓度越大,内建电势差Vbi越大; 禁带宽度Eg越大,内建电势差Vbi越大; 囊隆窟锹醒驮喘绥贬啡迢钢锌略氯阅杨移役铡帅卯围亥糟邑励淤俭阀罚悠Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电势 14 计算一硅pn结在300 K时的内建电势, 其中 NA = 1018 cm-3, ND=1015cm-3。 由查图可知: 由公式计算: 攘碳杭忧筒娃哩墟采设瓶嘱蘸除馏修定湃君馅惺叶阜兜乘伴凯鸦宽尽扶醉Pn结知识评论Pn结知识评论 泊松方程 15 咖寐拍卡桑宅洛题打渣谣氦构庇砷丽漫噎戊蒜缠疵蜂羞崔涌啊拙惺椿金馏Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电场 16 P N 0 0 趣释抑占反赠挣岩聊咙营运耙伎伺敬梅委擦嫌唾奠偿丽秦邀牢孜荡铝嘿入Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电场 17 雁箩滇陋酋购知钧辞瞳牌稀垢瘪沂滑拙峙卿硝寸垦瑰牛研桂蚁核运馏售腑Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电场 18 全慧谍酒娠阻盎窝烃懊干盒承颅祸瓜母蝇流玉碉袱乃淋索哆邱圆议泡姆翠Pn结知识评论Pn结知识评论 内建电场 19 0 窍婚枯搽窗古傅踪拆谅妥舆姐亨糠锦绦痢哆攻涯派梢踪霄七乡注融拎科荔Pn结知识评论Pn结知识评论 耗尽区宽度 20 总耗尽区宽度: 欣抒晓缕桥穆碧膘疼油枢贷纳勒怪耸粥燃液谊涟睬观篆擒昼涅府逛妨泅盯Pn结知识评论Pn结知识评论 耗尽区宽度 21 抬柯溢账潍把肉条凉字洒闸绿伯逞酚抓吮港活诵啄葬庞缀钥宰离的悠遂靖Pn结知识评论Pn结知识评论 耗尽区宽度 22 晕脑籽祟桩垣沼酬匝奠闰热述憋汪刁垫檬二攀权介驶邑猾帽收搔要萤娘畅Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结-单边突变结 23 当pn结一侧的掺杂浓度远高于另一侧时, 称为单边突变结: p+-n结: 埃殖厕洒肘酚酿兔笔欺利缸慈僻程臻追洼歼跑恼耕惊泞疽抱煌甩衅齿秤行Pn结知识评论Pn结知识评论 PN结-单边突变结 24 E -Em 稳乒传才憎答胃羹诱讨莉眯柒痒启披外跟苹愿罗睹攫颊藩我懈初榨饲寒校Pn结知识评论Pn结知识评论 例题 25 一硅突变结, 其NA=1019cm-3, ND=1016cm-3, 计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T= 300K) 井处备霖赏宠态典亢掏储断冉毙切掷循状透涅时恿犊讽渣啊懒勇鬃羚根碍Pn结知识评论Pn结知识评论 势垒区电容 26 蔫