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半导体和PN结课程计划.doc

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半导体和PN结课程计划

2、模型分析法应用举例 例题1:如果图示电路(a)中设二极管为恒压模型。求电路中输出的电压Vo值说明二极管处于何种状态? 解:假设先将A、B断开,则VA = -10V, VB = -5V,∴VAB= VA-VB= -5V,可见重新接入后二极管将处于反向截止状态:电路中电流为0(反向电阻无穷大),∴电阻R上的压降为0,Vo = -5V成立。 例题2:如果图2.13所示电路(b)中设二极管为恒压模型。求电路中输出的电压Vo值说明二极管处于何种状态? 解:∵将D1、D2断开,VB1A=9V,VB2A= -12-(-9)=-3V ∴将D1、D2接入后,D1导通,D2截止,VA被D1箝位在-0.7V上。∴Vo= VA= -0.7V成立。              2、稳压二极管的应用             稳压管常用在整流滤波电路之后,用于稳定直流输出电压的小功率电源设备中。         如图由R、Dz组成的就是稳压电路,稳压管在电路中稳定电压的原理如下:         只要R参数选得适当,就可以基本上抵消Vi的升高值,因而使Vo基本保持不变。   可见,在这种稳压电路中, 起自动调节作用的主要是稳压二极管Dz,当输出电压有较小的变化时, 将引起稳压二极管电流Iz的较大变化,通过限流电阻R的补偿作用,保持输出电压Vo基本不变。 半导体与PN结教案 课程 《电子电路基础》 章节 第一章 半导体二极管和三极管 §1—2 PN结及其单向导电性 课时 1 任课教师 审批 授课时间 授课班级 05机电工程 教学目的 与要求 撑握PN结的形成及其单向导电性的原理。 重点 学会用原子结构理论分析PN结的形成及其单向导电性的原理,通过学习还要求学生弄清扩散、漂移、空间电荷区等有关概念。 难点 PN结的形成及其单向导电性的原理分析。 授课类型 讲授课 教材及 参考书 全国技工学校电子类通用教材(第二版) 中国劳动出版社 教具 多媒体课件(自制) 作业 习题册 第一章 第1—2节 教学进程和时间分配表 序号 教学内容 时间分配 教学方法 1 2 3 4 5 6 组织教学 复习旧课引入新课 讲授新知识 (1)、PN结的形成 (2)、PN结的单向导电性 实验验证 知识回顾与提问(巩固所学知识) 布置作业 2" 3" 28" 6" 5" 1" 讲解、 演示、 提问、 实验观察 课后记要 电子技术课程比较抽象,应加强学生实验,增强直观性,同时也可培养学生的动手操作能力。 备注 本课程为电工、电子专业技术理论课。 教师的活动 教学内容和序列 学生的活动 导入教学 (3分钟) (配以相应的图片加以说明) (启发学生思考) 讲授新课 (36分钟) 复习半导体的基本知识: 通过上次课的讲解,我们知道:按杂质半导体中掺入杂质性质的不同,它可分为电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体两大类。 (1)、N型半导体(电子型半导体):在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的五价元素,如磷(或锑)等,它就成为N型半导体,其自由电子为多数载流子(简称多子),而空穴称为少数载流子(简称少子),它的导电性主要取决于电子数。其晶体结构如下图所示: +4 +4 +4 磷 +5 +4 硅 硅 硅 硅 硅 多余电子 N型硅半导体中的共价键结构 +4+4 +4 +4 硼 +3 +4 硅 硅 硅 硅 硅 空穴 P型硅半导体中的共价键结构 提出问题:杂质半导体中的载流子的数量比本征半导体中的载流子的数量要多得多,导电性也要好得的多,但它的导电性仍不及导体,那么能有什么用途呢? §1—2 PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 (1)、什么是PN结呢? (采用特殊的制作工艺,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,在两种半导体的交界处就会产生一个特殊的接触面,称之为PN结。它是构成半导体器件的基础,也是半导体获得广泛应用的原因。) 复习旧知识为下面的学习作好准备 产生疑问:半导体材料到底有什么用途 呢? 教师的活动 教学内容和序列 学生的活动 (明确PN结的概念后,紧接着提出问题) (原理分析,配合多媒体演示讲解。) (通过上述分析与演示得出结论) (2)、那么PN结是怎样形成的呢? 扩散运动:指电子和空穴从浓度高的地方向浓度低的地方运动。 复合:电子与空穴结合后同时消失的过程。 空间电荷区:由于扩散运动使电子与空穴复合以后,在P区与N区的交界面处留下不能移动带正电和带负电的离子的区域,称为空间电荷区,这就是PN结,在空间电荷区中不再存在载流子,因此PN结又叫耗尽层。 内

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