前面已经讨论过晶体中存在杂质就会出现一些局域化的电子态其.DOC

第四章 晶体中杂质中心的光跃迁 第二章已经讨论过，晶体中存在杂质，就会出现一些局域化的电子态，其波函数局限在杂质周围一定大小的区域。这样的电子态，常称为该杂质中心的电子态。由于这类状态的存在，除了上一章讨论的理想晶体固有的各种基本的电子态间的光跃迁，还可以有涉及杂质电子态的光跃迁，包括杂质中心不同电子态间的跃迁，不同中心的电子态间的跃迁和杂质电子态与能带间的跃迁。下面对这几种典型的跃迁作一简要讨论。如我们在前面讨论中指出的，光跃迁涉及辐射场，晶体中的电子和声子（晶格振动）三个子体系。本章暂时只考虑辐射场与电子间的相互作用引起的这两个子系统状态的变化，有声子参与的情形留待下一章讨论。 4.1 杂质中心内的光跃迁 （离子中心的能级和辐射跃迁） 很多实用的发光材料和激光材料，都是利用晶体中杂质或缺陷中心电子能级间的跃迁来工作的。 电子态的波函数局域在中心附近，跃迁可以看作是在中心内部进行的，这些杂质中心也常称之为分立中心。 依赖于相关杂质和缺陷中心的具体特点，辐射跃迁所涉及的电子态局域的程度有所不同，辐射跃迁也有不同的特点和规律。 这里我们假定杂质中心之间相距很远，以致中心间的相互作用可以忽略，我们只需考虑晶体中单个中心的问题。中心间存在相互作用引起的效应将在后续章节中讨论。 下面我们介绍实际应用中经常碰到的几种最典型，研究最多的杂质中心的光跃迁。 光跃迁是由光与固体的相互作用引起的，跃迁速率依赖于相互作用的具体情况和跃迁前后的状态（费米黄金规则）。 本节讨论的是 局域中心，特别是跃迁相关状态的电子波函数局限在很小的空间范围（比如原子尺度范围）的情形。对于这样的中心，作用在它上面的辐射场不再能像上一章那样用宏观场近似，而需用中心所在处的局域的 微观场。 如附录C.5中的C.30）式给出的，这种情形下，电偶极自发辐射跃迁速率为 杂质从自由的离子变成晶体中掺杂的离子，由于与基质晶格离子（原子）的相互作用，电子态将发生改变，相应的跃迁也将有所变化。比较它们的异同可以对晶体中的杂质中心的光跃迁有较具体的了解。下面我们对固体中最重要的两类分立中心：稀土离子和过渡金属离子的光跃迁（主要是电偶极辐射项）作一讨论。 4.1.1 静态环境中的稀土离子 原子序数为57～71的15种化学元素（镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥）统称为镧系元素，也常称之为稀土元素（化学中稀土元素是镧系元素和钪、钇的总称）。它们通常以三价离子的形态存在于化合物中，是很多发光材料，激光材料中重要的发光中心。人们早就注意到稀土离子独特的光谱性质。它们不管处在什么环境中（不同的固体基质中，或是溶液中），其光谱都呈现出许多尖锐的线谱，每种稀土离子都有其特征性的一些光谱线，其光谱位置随环境变化不大。这意味着外界势场对它的能级位置影响很小。这一特点可以从它们原子的电子组态来定性地解释。 稀土元素原子的基电子组态为：（个别情形中，电子比电子的能量略低，因而电子组态变为～），其中代表惰性气体原子氙的电子组态：。稀土原子的电子离化后形成三价稀土离子，其电子组态为，它存在一个未填满的支壳层（除了的情形）。考虑到电子间的库仑相互作用，这一电子组态包含有若干具有不同能量的能级（称为谱项）。我们观察到的光谱，很多都是组态内不同电子态间的跃迁。从核外电子云的分布来看，5s和5p壳层电子分布在原子的最外面。由于受到这些最外面的电子的屏蔽，电子的能量状态不大受外界的影响，它们之间光跃迁相应的光谱位置也就不大受影响了。当然，稀土离子也有涉及其它组态的光跃迁。由于那些组态中有些单电子态的电子云有相当部分处在离子的最外面，因而组态中的电子态及其能量高低易受周围环境的影响。表现在光谱上，相应的光谱位置就随离子所处的环境而异。 1. 稀土离子电子的能级结构 上面的讨论表明稀土离子电子是很局域的，其能级结构可以很好的用紧束缚近似来描述。稀土离子掺杂在晶体中，其周围基质离子的库仑势场（晶体场）对于电子的影响很小。决定稀土离子组态能级位置的主要是离子内部的各种相互作用 ( 可以从单个自由离子的问题出发来讨论晶体中的稀土离子能态。 自由稀土离子的哈密顿量可表示为： （4.1-1） 其中，为有心势近似下核外电子系的哈密顿量（单电子哈密顿量之和），在这一近似下，离子存在一系列单电子态（常称之为轨道），离子中所有电子的总状态用电子组态来描述。进而考虑电子间的Coulomb相互作用偏离有心势的部分，由于满壳层电子的总电子分布是球对称的，对的贡献来自未填满的壳层中的电子。对三价稀土离子，能量最低的组态，就只有4f壳层未填满，这时只要考虑这些电子的就可以了。由于这一相互作用，由 电子组态描述的能级劈裂为一系列具有不同能量