14.位错密度.doc

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14.位错密度

位错密度 应用一些物理的和化学的实验方法可以将晶体中的位错显示出来 如用浸蚀法可得到位错腐蚀坑,由于位错附近的能量较高,所以位错在晶体表面露头的地方最容易受到腐蚀,从而产生蚀坑。位错腐蚀坑与位错是一一对应的。 此外用电子显微镜可以直接观察金属薄膜中的位错组态及分布 还可以用X射线衍射等方法间接的检查位错的存在 位错的形态特点: 。式中,V是晶体体积,L为该晶体中位错线的总长度,的单位为。 位错密度的另一个定义是:穿过单位截面积的位错线数目,单位也是。 位错密度有多大 一般在经过充分退火的多晶体金属中,位错密度达,而经过剧烈冷塑性变形的金属,其位错密度高达,即在的金属内,含有千百万公里长的位错线。 金属材料的强度和位错密度之间的关系: 不含位错的金属强度: 如果金属中不含位错,那么它将有极高的强度,目前采用一些特殊方法已经能制造出几乎不含位错的结构完整的小晶体—直径约为、长度为的晶须,其变形抗力很高 例如直径的铁晶须,其抗拉强度竟高达,而工业上应用的退火纯铁,抗拉强度则低于,处,晶体的抗拉强度最小,相当于退火状态下的晶体强度,当经过加工变形后,位错密度增加,由于位错之间的相互作用和制约,晶体的强度便又上升。

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