半导体物理_第8讲课件.ppt

半导体物理学;第六章　PN结;§6.1　PN结及能带图;PN结形成及杂质分布;根据制作工作分类;合金结工艺;扩散结工艺;根据杂质浓度分类;突变结及线性缓变结浓度;突变PN结掺杂分布;线性缓变结;;PN结分类;空间电荷区;图示;电流的漂移;空间电荷区;空间电荷区;空间电荷区;;PN结能带图;PN结能带图;PN结能带图－另一种解释;PN结能带图;PN结能带-公式计算;PN结能带-公式计算;PN结接触电势差;VD计算;VD计算;VD计算;VD计算;VD表示;势垒区载流子分布（少数载流子）;势垒区载流子分布（少数载流子）;势垒区载流子分布（少数载流子）;势垒区载流子分布（少数载流子）;势垒区载流子分布;PN结耗尽区近似;PN结总结;§6.2　PN结电流电压特性;非平衡状态下的PN结;非平衡PN结;;能带改变，势垒高度;能带改变，势垒高度;正向偏压;反向偏压;少子的电注入与电抽取;少子的电注入与电抽取;少子的电注入与电抽取;少子的电注入与电抽取;少子的电注入与电抽取;少子的电注入与电抽取;PN结中的准费米能级;PN结中的准费米能级;正向偏压PN结中的准费米能级;反向偏压下准费米能级;理想PN结模型及其电流电压方程式;耗尽区近似;理想PN结模型及其电流电压方程式;PN结中载流子移动;边界处非平衡少子的载流子浓度;边界处非平衡少子的载流子浓度;扩散区中少子分布;稳态时的扩散方程;稳态时的扩散方程;平衡态扩散区中少子分布;偏压下非平衡少子分布;少子扩散电流;少子扩散电流;少子扩散电流;肖克莱方程式;肖克莱方程式;PN结电流的分布;二极管IV特性;准费米能级;双极工艺的PN结二极管;;;§6.3影响PN结电流电压特性偏离的各种因素;少子贮存;实际PN结的掺杂;势垒区中的产生及复合;势垒区中的产生及复合;势垒区中的产生及复合;势垒区中的产生及复合;势垒区中的产生及复合;势垒区中的产生及复合;正向大注入条件;载流子浓度分布;自建电场;实际的I－V曲线;实际的I－V曲线;§6.4　PN结电容;PN结电容来源;;势垒电容;突变结势垒电容;突变结势垒电容;高斯方程及泊松方程;突变结势垒电容;突变结势垒电容;突变结势垒电容;突变结势垒电容;扩散电容;扩散电容;扩散电容;扩散电容;电容比较;§6.5　PN结击穿;式缀颅揣北久骂显灰孝诺誓诱墓火悬僻街铱崇何癣硬仰纤花项帐少眶神未半导体物理_第8讲课件半导体物理_第8讲课件;九衅玫他璃桅哭勉藤吗棋跺掉崭粘辞誊上舅镭尉慑搀颤脆筏亏奢俯黑皇狈半导体物理_第8讲课件半导体物理_第8讲课件;雪崩击穿;雪崩击穿示意图;雪崩击穿;隧道击穿;隧道击穿;隧道击穿;;热电击穿