原子层沉积成为22纳米逻辑技术主流-半导体科技.PDF

原子层沉积成为22纳米逻辑技术主流-半导体科技.PDF

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
原子层沉积成为22纳米逻辑技术主流-半导体科技

Semiconductor Manufacturing A L D 22 1970 ALD ALD 22 ALD ALD [1] ALD ALD ALD k 10 22 1 1%1 k ALD CVD ALD ALD [2] ALD ALD 50 ALD 2 ALD 1 2 DAM ALD k 4 4 5 5 A B C Figure 1. ALD Equipment Variants: A. Single Wafer, B: Batch, C: (1) Mini-batch, (2) Multi-single Wafer. ALD CVD ALD required for all PVD/CVD metal layers as scaling gate fill creates higher PECVDALD ALD high -k and aspect ratio structures and workfunction metal limited real estate gate layers for gate fill SiGe SiGe 32nm

文档评论(0)

xiaozu + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档