固态输送ZrCl4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的-中国有色金属学报.PDF

第 22卷第 1期 中国有色金属学报  2012年 1月  Vol.22 No.1  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  Jan. 2012  文章编号：1004­0609(2012)1­0171­08  固态输送 ZrCl 低压化学气相沉积制备 ZrC 涂层的特征 4  刘 岗，李国栋，熊 翔，王雅雷，陈招科，孙 威  (中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙410083)  摘 要：采用 ZrCl ­CH ­H ­Ar 反应体系、固态输送 ZrCl 粉末低压化学气相沉积(CVD)制备 ZrC涂层。研究温度 4 4 2 4  对低压化学气相沉积 ZrC涂层物相组成、晶体择优生长、涂层表面形貌、断面结构、涂层生长速度和沉积均匀性 等方面的影响。结果表明：不同温度下沉积的涂层主要由 ZrC和 C相组成；随着温度的升高，ZrC 晶粒(200)晶面 择优生长增强，颗粒直径增大，表面致密性增加，沉积速率上升；涂层断面结构以柱状晶为主；随着离进料口距 离的增加，涂层的沉积速率逐渐减小；1500 ℃时，沉积系统的均匀性比 1450 ℃时的差。 关键词：ZrC涂层；温度；低压；化学气相沉积 中图分类号：TQ050.4  文献标志码：A  Character of ZrC film prepared by transporting solid ZrCl during  4  low pressure chemical vapor deposition  LIU Gang, LI Guo­dong, XIONG Xiang, WANG Ya­lei, CHEN Zhao­ke, SUN Wei  (State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China)  Abstract: ZrC film was deposited by chemical vapor deposition with ZrCl ­CH ­Ar system, and ZrCl particles was  4 4 4  transported in solid. The influences of temperature on the phase composition, preferential growth of the crystals, surface  morphology, fracture surface morphology, deposition rate and deposition uniformity of the coatings were studied. The  results show that the film prepared at different temperatures is composed of ZrC and carbon. The crystal plane (2