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国外集成电路命名方法器件型号举例说明缩写字符:AMD译名:先进
国外集成电路命名方法 器件型号举例说明?( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 ? L:低功耗; D:铜焊双列直插 C:商用温度, 没有标志的 ? S:肖特基; (多层陶瓷); (0-70)或 为标准加工 ? LS:低功耗肖特基; L:无引线芯片载体: (0-75); 产品,标有 ? 21:MOS存储器; P:塑料双列直插; M:军用温度, B的为已 ? 25:中规范(MSI); E:扁平封装(陶瓷扁平); (-55-125); 老化产品。 ? 26:计算机接口; X:管芯; H:商用, ? ? 27:双极存储器或EPROM ; A:塑料球栅阵列; (0-110); ? ? 28:MOS存储器理; B:塑料芯片载体 I:工业用, ? ? 29:双极微处理器; C、D:密封双列; (-40~85 ); ? ? 54/74:同25; E:薄的小引线封装; N:工业用, ? ? 60、61、66:模拟,双极; G:陶瓷针栅陈列; (-25~85); ? ? 79:电信; Z、Y、U、K、H:塑料 K:特殊军用, ? ? 80:MOS微处理器; 四面引线扁平; (-30~125); ? ? 81、82:MOS和双极处围电路; J:塑料芯片载体(PLCC); L:限制军用, ? ? 90:MOS; L:陶瓷芯片载体(LCC); (-55-85)< ? ? 91:MOS RAM: V、M:薄的四面 125。 ? ? 92:MOS; 引线扁平; ? ? ? 93:双极逻辑存储器 P、R:塑料双列; ? ? ? 94:MOS; S:塑料小引线封装; ? ? ? 95:MOS外围电路; W:晶片; ? ? ? 1004:ECL存储器; 也用别的厂家的符号: ? ? ? 104:ECL存储器; P:塑料双列; ? ? ? PAL:可编程逻辑陈列; NS、N:塑料双列; ? ? ? 98:EEPROM; JS、J:密封双列; ? ? ? 99:CMOS存储器。 W:扁平; ? ? ? ? R:陶瓷芯片载体; ? ? ? ? A:陶瓷针栅陈列; ? ? ? ? NG:塑料四面引线扁平; ? ? ? ? Q、QS: 器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美)) AD
644
A
S
H
/883B
ANA首标
器件
附加说明
温度范围
封装形式
筛选水平
AD:模拟器件
编号
A:第二代产品;
I、J、K、L、M:
D:陶瓷或金属气
MIL-STD-
HA:混合
?
DI:介质隔离产
(0-70);
密双列封装
883B级。
A/D;
?
品;
A、B、C:
(多层陶瓷);
?
HD:混合
?
Z:工作在+12V
(-25-85);
E:芯片载体;
?
D/A。
?
的产品。(E:ECL)
S、T、U:
F:陶瓷扁平;
?
?
?
?
(-55-125)。
G:PGA封装
?
?
?
?
?
(针栅阵列);
?
?
?
?
?
H:金属圆壳气
?
?
?
?
?
密封装;
?
?
?
?
?
M:金属壳双列
?
?
?
?
?
密封计算机部件;
?
?
?
?
?
N:塑料双列直插;
?
?
?
?
?
Q:陶瓷浸渍双列
?
?
?
?
?
(黑陶瓷);
?
?
?
?
?
CHIPS:单片的芯片。
?
同时采用其它厂家编号出厂产品。
通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))
ADC
803
X
X
X
X
首标
器件编号
通用资料
温度范围
封装
筛选水平
?
?
A::改进参数性能;
J、K、L:
M:铜焊的金属壳封装;
Q:高可
?
?
L:自销型;
(0-70);
L:陶瓷芯片载体;
靠产品;
?
?
Z:+ 12V电源工作;
A、B、C:
N:塑料芯片载体;
/QM:
?
?
HT:宽温度范围。
(-25-85);
P:塑封(双列);
MIL
?
?
?
R、S、T、V:
H:铜焊的陶瓷封装
STD
?
?
?
(-55-125)。
(双列);
883产品。
?
?
?
?
G:普通陶瓷(双列);
?
?
?
?
?
U:小引线封装。
模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)) -
--
X
X
X
?
首标
器件编号
温度范围
封装
筛选水平
?
?
?
H、J、K、L:
M:铜焊金属壳封装;
Q:高可靠产品;
?
?
?
(0-70);
P:塑封;
/QM:MIL-STD-
?
?
?
A、B、C:(-25-85);
G:陶瓷。
883产品。
?
?
?
R、S、T、V:
?
?
?
?
?
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