基于单片式微波集成电路的终端式犕犈犕犁微波功率-光学精密工程.PDF

第 卷 第 期 光学 精密工程 １７ ７ 　 Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．７ 　 　 　　 　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００９ ７ Ｊｕｌ．２００９ 　 　 　 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００９０７１６５６０４ 　 基于单片式微波集成电路的终端式 犕犈犕犛微波功率传感器 许映林，廖小平，田 涛 　 （东南大学 ＭＥＭＳ教育部重点实验室，江苏 南京 ２１００９６） 摘要：提出了一种基于塞贝克效应的终端式 ＭＥＭＳ微波功率传感器，该传感器的制作工艺与 ＧａＡｓ单片式微波集成电 路（ ）工艺兼容。利用热电偶检测温度差，生成与微波功率成比例的直流电压，由 ／ 热电偶串联构成热堆。 ＭＭＩＣ ＧａＡｓＡｕ 传感器将电功率转化为热，再间接测量热堆生成的直流电压。采用微机械加工技术，去除了器件底部的 ＧａＡｓ衬底，从 而减小了热损耗和电磁损耗，提高了灵敏度。测试结果表明，在 内， 模拟的 ；测试输入功 ０ ２０ＧＨｚ ＨＦＳＳ 犛 －２２ｄＢ ～ １１＜ 率为 时，频率为 ；在 时，灵敏度高于 ／ ；在整个频率范围内，回波损耗低于 －２０ ２０ｄＢｍ ０ ２０ＧＨｚ ２０ＧＨｚ ０．１５ｍＶ ｍＷ ～ ～ －２６ｄＢ。 关 键 词： ；微波功率传感器； ＭＥＭＳ ＭＭＩＣ 　 　 中图分类号： ； 文献标识码： ＴＮ６２ＴＰ２１２．１ Ａ 　　 犜犲狉犿犻狀犪狋犻狀 狋 犲犕犈犕犛犿犻犮狉狅狑犪狏犲 狅狑犲狉狊犲狀狊狅狉犫犪狊犲犱狅狀犕犕犐犆 犵狔狆 狆 ， ， ＸＵＹｉｎｌｉｎ ＬＩＡＯＸｉａｏｉｎ ＴＩＡＮＴａｏ ｇ ｐ ｇ （ ， ， ， ） 犓犲犔犪犫狅狉犪狋狅狉 狅 犕犈犕犛狅 犕犻狀犻狊狋狉 狅 犈犱狌犮犪狋犻狅狀 犛狅狌狋犺犲犪狊狋犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犖犪狀犻狀 ２１００９６ 犆犺犻狀犪 狔 狔 犳