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基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法-北京工业大学学报
第34卷第12期 北京工业大学学报 VoI.34No.12
UNIVERSITYOFTECHNOLOGY
2008年12月 JOURNALOFBEIJING Dec.2008
基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法
冯士维,张跃宗,孟海杰,郭春生,张光沉,吕长志
(北京工业大学电子信息与控制学院,北京100022)
摘要:在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改
进.充分考虑到了半导体材料受到的影响。可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面
刻蚀斜坡效果,并采取多次Si02淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结
果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分
析得知:接触层中的~是一种较低的抗电迁移能力的金属.由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改
进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.
关键词:大电流密度;欧姆接触;接触电阻率;电迁移
中图分类号:TN306 文献标识码:A 文章编号:0254—0037(2008)12—1254—04
许多半导体器件如瞬态电压抑止二极管、可控硅、电力半导体器件等均需要在大电流密度下工作,要
求金属电极有良好的导电、导热性能以及较强的抗电迁徙能力,并能稳定可靠地工作.其中稳定可靠的欧
姆接触是半导体器件在大电流密度下工作的关键之一.
随着倒装芯片焊接点越来越小,其直径参数由100弘m发展到50肛rll,电迁移一直被认为是一个非常
严重的可靠性问题【1.2].随着VLSI和ULSI迅速发展和微波功率器件性能的提高,半导体器件的特征尺
寸按比例缩小,目前向亚微米方向发展,金属化电流密度已达到105A/cm2数量级,极易造成金属化系统
电迁徙失效,因此成为半导体器件失效的突出问题[3。5】.在高电流密度应力作用下,金属薄膜中的金属离
子与快速运动的电子(电子风)间发生动量交换而产生的金属离子沿导体的输运现象称为电迁移[6-8】.研
究和改善大电流密度下欧姆接触的退化规律及其可靠性是一个难点,目前国内外均鲜有报道,在航空航
天、电力、国防领域内有重要的现实意义.GaN作为第三代半导体材料的主要代表,在光电子器件和高温
高频大功率微电子器件等方面有广泛的应用前景[9。11I.本文以GaN材料为基础,研究其在大电流密度下
欧姆接触退化的测试结构和新方法.
1原理
图1为传统的传输线测量方法,图2为一种测量大电流密度条件下半导体器件欧姆接触退化失效的
专利结构,属于半导体器件失效评估领域.它分为A、B两个部分:A部分为传统的传输线法结构,B部分
每相邻电极间均为绝缘衬底层,A、B两部分接触电极间由半导体材料相连接.测量方法为:首先对A、B
间加考核电流(一定时间内加一定的电流密度),然后断开A、B间考核电流,只对A部分进行测量相邻电
极之间的总电阻及间距,应用传输线法作图并计算得到A部分欧姆接触退化后的接触电阻率.
使用本专利结构和测量方法,能避免考核电流对半导体材料的损伤,准确评估欧姆接触退化程度的方
法.其原理如图2所示.
收稿日期:2008.09.24.
士启动基金(X0002013200802).
作者简介:冯士维(1961~),男。黑龙江佳木斯人,教授。博士生导师.
万方数据
第12期 冯士维,等:基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法
半导体材料
欧姆接触
图1传统的TLM法 图2改进后的TLM法
TraditionalTLMmethod TLMmethod
Fig.1 Fig.2Improved
2试验
一般认为,当电流密度达到或超过105A/em2时,可以称作大电流密度.为此,根据本专利结构,
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