基于透反式二维绝对零位光栅的光刻对准技术.PDF

维普资讯 第37卷第3期 中 国 神 孽 艘 求 大 誊 辱 取 Vo1．37，No．3 2007年 3月 JOURNALOFUNIVERSITYOFSCI EAND TECHNOLOGYOFCHINA Mar．2007 文章编号：0253—2778(2007)03—0264—04 基于透反式二维绝对零位光栅的光刻对准技术 叶锡标，周成刚，张 阳，黄文浩 (中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，安徽合肥 230026) 摘要：在二维零位光栅原理的基础上提出了一种透反式二维零位光栅系统，从理论上分析了系统的 可行性，并进行 了对准性能的试验．实验数据表明透反式光栅系统比一般的光刻对准技术的对比度 更强，判别零位的性能更好．该系统作为一种新型的掩模一硅片对准技术，应用于光刻机中可获得优 于2Onm的定位对准精度． 关键词：透反式二维零位光栅；光刻对准技术；光强信号对比度；对准精度 中图分类号：TH741．6 文献标识码：A Lithographyalignmenttechnologybasedon two—dimensional zeroreferencegratingbytransm ission—reflection YEXi—biao，ZHOU Cheng—gang，ZHANG Yang，HUANGW en-hao (DepartmentofPrecisionMachineryandInstrumentation，UniversityofScienceand TechnologyofChina，Hefei230026，hC ina) Abstract~A two-dimensionalzeroreferencegratingbytransmission-reflectionbasedonthetheoryoftwo- dimensionalzeroreferencegratingwasproposed．Itsfeasibilitywasanalyzedintheoryanditsalignment capabilitywasverifiedinexperiments．Thedataobtainedfrom theexperimentsdemonstratethatthetw-o dimensionalzeroreferencegratingbytransmission-reflection providesbettercontrastanddistinguishing zeropointcapability than doesthenormallithography alignmenttechnology． Asa new alignment technologybetweenmask and siliconwafer，thetechnology can offerabetterthan 20nm alignment precisionrepeatusedinlithographysystems． Keywords：tw-odimensionalzeroreference grating by transmission-reflection；lithography alignment technology；contrastofthelightsignalintensity；alignmentprecision 精度以及产品的生产率．目前国内的光刻机的光刻 o引言 ≥__ 对准精度还难以达到 100nm以下，而国外高精度 随着高集成度、超高精度、超高频集成电路及器 的光刻机价格昂贵，因此找到一种高精度、结构简 件的研制开发，IC特征尺寸愈来愈小，对光刻技术 单、对准方便的