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多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究
:
王辰伟 等 多羟多胺在 TSV铜膜 CMP中的应用研究 3603
文章编号: ( )
1001-9731201324-3603-03
多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究∗
, , , , ,
王辰伟 刘玉岭 蔡 婷 马锁辉 曹 阳 高娇娇
( , )
河北工业大学 微电子研究所 天津 300130
: ( / )
摘 要 对自主研发的多羟多胺络合剂 在 在 条件下能够与铜离子形成极稳定可溶于水的
FA O CMP
( , ) [10-12], 。
硅通孔技术 化学机械平坦 铜胺络合物 其结构示意图如图 所示 本文首
Throuh-silicon-viaTSV 2
g
( , ) ,
化 chemicalmechanicallanarizationCMP进行了应 先与常用络合剂进行了对比研究 然后考察了多羟多
p
。 , / ,
用研究 结果表明 FA O络合剂较其它常用络合剂 胺络合剂含量对 CuCMP去除速率的影响 并对其
, 。
在碱性 CMP条件下对铜有较高的去除速率 抛光液 CMP机理进行了深入分析
/ , /
中不加 FA O络合剂时 铜的去除速率仅为45.0nm
, / ,
min少量FA O的加入迅速提高了铜膜去除速率 当
/ / , 。
FA O含量为50mLL时 铜去除速率趋于平缓 在
中应用表明, / 对铜的去除率可高
TSVCuCMP FA O
/ , 。
达2.8 m min满足微电子技术进一步发展的要求
μ
: ; ; ;
关键词 络合剂 化学机械平坦化 抛光速率
TSV
中图分类号: 文献标识码:
TN305.2 A
: /
DOI10.3969 .issn.1001-9731.2013.24.018
j
引 言
1
图1 TSV结构示意图
硅通孔技术( , )技术是通
throuh-silicon-viaTSV
g Fi1SchematicofTSVstructurewafers
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