太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法编制说明.DOC

《太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法》编制说明 一 工作简况 1.任务来源 根据全国半导体材料和设备标准化技术委员会材料分技术委员会半标材委[2011]16号文件,《关于下达2011年第一批半导体材料国家标准制（修）订项目计划的通知》, 由瑟米莱伯贸易（上海）有限公司承担项目编号T-469的国家标准《太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕检测方法》的制定任务。 2.标准项目申报单位简况 Semilab公司成立于1989年，是全球领先的半导体及光伏领域测试技术提供商，公司总部位于匈牙利的布达佩斯，并在美国波士顿、坦帕和法国巴黎拥有研发和生产基地，在全球主要市场均设有销售和服务机构。公司产品覆盖半导体、光伏、液晶显示器等领域，为客户提供专业、全面的研发、生产监控、产品质量控制的需要，提供多种接触或非接触，离线或在线测试设备，帮助半导体及太阳能领域的研究人员和制造厂家进行高效、准确的电学或光学检测，降低成本并有效提供产品质量及合格率。2007年Semilab公司收购了美国Semitest公司和Box Crosss公司，从2008年到2009年，收购了美国SSM公司、SDI公司、AMS公司及法国Sopra公司，2010年收购德国Balser硅片微隐裂测试技术，并于2011年收购挪威Tordivel公司硅片外观检测技术。通过这一系列的收购，Semilab拥有了众多业界顶尖的技术和优秀人才，目前公司拥有专利500多项，员工近400人，全球已安装机台超过4000台。目前，Semilab公司是业界最大的电学表征公司。 3.主要工作过程 本标准从2011年初开始起草，形成草案，上报全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，并于2011年11月在成都参加了标准项目任务落实会议。会上本标准编制小组就本标准编制中的相关工作进行了计划和分工。编制小组开始了本标准的正式起草工作，经过多次与业内厂商和客户讨论及征求意见，于2012年3月形成了本标准征求意见稿。 2012年6月在上海召开的国家标准讨论会，与会的41位专家、代表对本标准的草稿提出了许多宝贵的意见，标准编制小组根据本次会议专家们的建议和意见，参考了《产品几何技术规范 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值》、《硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法》等一系列相关标准，并结合太阳能电池用硅片的实际具体情况，以及业内厂家和专家的反馈意见，对标准草稿进行了大幅修改，形成了预审稿，提交至2012年10月岳阳标准会议审议讨论。 4.本标准主要起草人 任皓 工程师 孙燕 教授级高工 陈佳洵 工程师 黄黎 总经理 5.本标准的意义 随着太阳能行业的不断发展，行业内对硅片的要求越来越高，对硅片的质量控制对后续工序的可能对腐蚀造成影响，从而影响绒面的制备，增加电池制备的困难并且影响转换效率。由于不同设备准确测量硅片，对共识，使得的测量方法标准变得越来越迫切。 1.标准编制原则 1.1 标准的编写格式按国家标准GB/T1.1-200《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的统一规定和要求进行编写。 1.3在制定本标准时，不但依据国内生产企业的技术生产现状，还考虑了将来的技术发展趋势，本着适合多数、助进技术进步的原则。 2.标准的主要内容及依据 本标准的主要内容及依据如下： 2.1 本标准的主要内容 本标准主要介绍了硅片粗糙度及线痕检测的测量原理、干扰因素、相关测试仪器和测量步骤。本标准介绍了接触式和非接触式测量方法测量硅片表面的粗糙度及线痕，规定了测试设备所需达到的测试分辨率，并提出以P/T作为设备适用性的依据。 2.2 本标准的依据 本标准是在充分理解国际先进标准的基础上，参考太阳能行业中其他的国家标准和行业标准，根据我国国内目前太阳能行业的需求和技术状况制订的。 2.2 重复性和精确性 本标准采用单、多晶硅片样品，在XX个实验室中进行了重复性和精确性测试。 测试用硅片样品由江苏协鑫硅材料科技发展有限公司和XXXX公司提供，共有单晶硅片X张，多晶硅片X张。 测试地点包括：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，江苏顺风光电科技有限公司，常州天合光能有限公司，镇江荣德新能源科技有限公司，镇江环太硅科技有限公司 具体测试数据和结果全部列在实验报告中，做为附录列于本编制说明后。 三 关于本标准编制中一些问题的说明 1 根据国标的特点，本标准为方法标准。 2 为了规范统一标准术语，本标准相应地修改题目为《太阳能电池用硅片粗糙度及切割线痕测量方法》。 3 考虑到接触式测量方法可能会给硅片带来沾污、损伤，并且适应实际大规模生产的要求，因此建议采用非接触式光学测量方法。 4 本标准根据硅片粗糙度及线痕的定义，对精密度要求、测量位置、测试参数及干扰因素进行了详细说明。 四 标准水平分析 本标准为首次制