小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 ， ４５ １ Ｖｏｌ．４５ Ｎｏ．１ 年 月 ２０１５ ２ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｆｅｂ．２０１５  小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析 ， ， ， ， ， ， 王 倩 陈后鹏 张怡云 金 荣 许伟义 蔡道林 宋志棠 　 　 （ ， ） 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市存储器纳米制造技术重点实验室 上海 ２０００５０ ： （ ） 。 摘 要 设计了基于 结构的 相变存储器 芯片及其版图 芯片包括存储阵 １Ｔ１Ｒ １６ｋｂ ＰＣＲＡＭ 　 　 、 、 （ ）、 （ ）。 （ ） 列 外围读写控制电路 纠错电路 ＥＣＣ 静电防护电路 ＥＳＤ 版图上对纳米存储单元 １Ｒ 与 ， 。 ＣＭＯＳ工艺的融合作了优化处理 给出了提高存储单元操作电流热效率的具体方法 １Ｒ位于顶 （ ） （ ） ， ， 层金属 ＴＭ 和二层金属 ＴＭ－１ 之间 包含存储材料以及上下电极 需要在传统ＣＭＯＳ工艺基 。 ， 、 础上添加掩膜版 读出放大器采用全对称的差分拓扑结构 大大提升了抗干扰能力 灵敏精度以及 。 、 、 ， 。 读出速度 针对模块布局 电源分配 二级效应等问题 给出了版图解决方案 采用中芯国际 １３０ ， （ ） 。 ｎｍＣＭＯＳ工艺流片 测试结果显示芯片成品率 ｂｉｔ ｉｅｌｄ可达９９．７％ 　 　 ｙ ： ； ； 关键字 相变存储器 １Ｔ１Ｒ 版图设计 　 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ４３２ Ａ １００４３３６５２０１５０１００７６０５ － － － DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.01.018 Ｌａ ｏｕｔＤｅｓｉ ｎａｎｄＶｅｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＭｏｄｅｓｔＣａ ａｃｉｔ ＰＣＲＡＭ Ｃｈｉ