应用说明：TN-002IC压力传感器的温度补偿.PDF

应用说明：TN-002 IC 压力传感器的温度补偿 简介 电路和工艺，即在硅膜片中采用了可控硅扩 微电子技术的发展不仅使硅传感器能做得更复 散工艺。4 个应变电阻片与膜片之间通过硅原子 杂，获得更高的性能价格比，而且能具有更佳的性能， 结构连接起来的。从而可防止了漏电，而漏电正 而影响高性能应用的主要因素是压力特性的温度相 是金属型或各种方式固定型应变片传感器不稳 关性。这篇技术说明描述了一种温度相关性的补偿方 定性的主要原因。 + 法，并说明了 IC sensors 可以提供多种传感器产品的 应变电阻片之间的连接是由低电阻的 P 扩 工厂补偿方式。 散层完成的。这种方法减少了热迟滞效应。 通过在膜片的两面各生成一层薄的二氧化 集成传感器设计 硅层，可实现扩散电阻间的电气绝缘（钝化）并 保护导电膜片免于与输入介质接触。 在 IC 的传感器设计中，一个矩形膜片状的机械 IC sensors公司提供多种封装形式用于传感 弹性元件将压力转换成应力。为了能做出这样的膜片 器安装和引压，HIT 和 TO-8 的产品可以安装在印 （见图1a）采用一种选拔的各向异性刻蚀工艺在一块 刷电路板上，其介质为干燥的非腐蚀性气体，ISO 硅晶片上同时做出大量的膜片。 型产品可以通过 O 形环安装，当介质为液体和腐 为了使敏感元件免受封装应力的影响，用一层硼 蚀性气体时，焊接和标准过程接口及介质兼容表 硅酸玻璃隔离层附于膜片层上。如果在此隔离层上刻 请参照各表。 蚀一个孔，膜片即可直接感受到输入压强的差压 在膜片两边加上一个差压就会产生一个应 P -P ，其中P 作用在膜片与隔离层的封接处。 1 2 2 力场，使得膜片的一部分压缩而另一部分拉伸， 使用 4 个 P 型电阻（应变电阻片）来测量 N 型硅 两个应变电阻片位于膜片的压缩区域，而另两个 膜片上的应力。应变电阻片的制作采用生产单片集 应变电阻片位于拉抻区域，电气上它们连接成惠 成。 斯通电桥的完整形式，以使输出信号最大（图 1c） 表 1. 传感器结构与电路 江门市利德电子有限公司 广东省江门市五邑碧桂园翠山聆水二街68号 邮编：(zip)529000 1 传感器