InGaN紫外探测器的制备与性能研究.pdf

《半导体光电)2014 年 10 月第 35 卷第 5 期 卢恰丹等: InGaN 紫外探测器的制备与性能研究 北电器件光电器件 IInGaNnGaN 紫外探测器的制备与性能研究紫外探测器的制备与性能研究 卢怡丹1·2 ，王立伟1 ， 2 ，张 燕1 ，李向阳l 卢 怡 丹 王 立 伟 张 燕 李 向 阳 (1.中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083 ;2. 中国科学院大学，北京 100039) 中国科学院上海技术物理研 究所 传感技术国家重点实验室 中国科学院大学 摘 要: 介绍了 InGaN 紫外探测器的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学 介绍 了 InGaN 紫 外探测 器 的研制 过程 ，并给 出 了 器 件的性能 。 利 用 金属有机化 学 气相沉积(MOCVD)方法生长 GaN 外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺，制作了正J照 气相沉积 ( MOCVD)方 法 生 长 GaN 外延材料 ，通过刻 蚀 、钝化 、欧姆接触电 极等 工 艺 ，制 作 了 正 照 射单元 In(0.09)Ga(0.91)N 紫 外探测芯片 。 并对该芯片 进行 了 I-V特性、响应光谱等测试 ，得到 芯 片 的暗 射单元 Ino. 09 GaO. 91 N 紫外探测芯片。并对该芯片进行了 [-v 特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗 电流 [d 为1. 00X lO- 12 A. 零偏压电阻R。为1. 20 X 109 n。该紫外探测器在 360-390 nm 范围内 电流 I(d )为 1.00 ×10-(12 ) A，零偏压 电阻 R (0)为 1.20 × 10(9 )Ω。 该 紫 外探测 器在 360～390 nm 范 围 内 有较高的响应度，峰值响应率在 378 nm 波长处达到 0.15 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达 有较高 的响应度 ，峰值响应 率在 378 nm 波长 处达到 0.15 A/W，在考虑表面反射 时 ，内量子效率达 6 2 12 12 1 到 60% ;优质因子 RoA 为 3.4 X 10 n . cm • 对应的探测率 D铮 =2. 18X 10 cm HZ / • W- 0 到 60% ；优质 因子 R(0)A 为 3.4 ×106()Ω · cm2()，对应 的探测率 D(*) 2.18 × 101(2 ) cm · Hz (1/2 )· W(-1 )。 关键词: GaN/lnGaN; p-i-n; 紫外探测器;伏安特性;响应光谱 GaN/InGaN p-i-n 紫外探测器 伏安特性 响应光谱 中固分类号: TN364.2 文献标识码:A 文章编号: 1001--5868(2014)05一0785--04 TN364.2 785 Study on the Fabrication and Properties of InGaN Ultraviolet Detector 2 2 1 1 LU Yid an1. • WANG Liwei 1. • ZHANG Yan • LI Xiangyang ( 1. Shangbai Institute of Techni创 Pbys恼。f the Chin四Academy