分子束外延生长的ZnO压电薄膜及其声表面波器件特性刘凤娟.pdf

33 3 Vol. 33 No. 3 第 卷 第 期 发 光 学 报 2012 3 Mar． ，2012 年 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 文章编号:1000-7032 (2012)03-0328-06 分子束外延生长的ZnO 压电薄膜及其声表面波器件特性 * ， ， ， 刘凤娟 胡佐富 李振军 张希清 ( ， 100044 ) 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室 北京 摘要: RF-MBE (0001) MgO ZnO ZnO ， 用 在蓝宝石 衬底上引入 和低温 双缓冲层生长了 薄膜 并制备了声表面 。 ZnO ， (0002) XRD ， ， ， ZnO c 波器件 在 薄膜中 仅观测到 面的 且衍射峰增强 半高宽减小 表明 薄膜 轴取向性更 ， 。 ， 好 晶体结构更优 室温下自由激子吸收峰更尖锐和吸收边更陡峭以及仅观测到自由激子发光 且发光线宽 、 ， ZnO ， 。 ZnO 4 × 变窄 发光强度变大 表明 薄膜缺陷密度减小 薄膜质量提高 测得该 压电薄膜的电阻率高达 107 ·cm ， 5 010 m / s 。 Ω 其声表面波的速度高达 :ZnO ;MgO ; 关 键 词 缓冲层 声表面波 中图分类号:O422 ;O472 ． 3 文献标识码:A DOI :10 ． 3788 / fgx 0328 Surface Acoustic Wave Based on ZnO Thin Films Grown by RF-MBE * LIU Feng-juan ，HU Zuo-fu ，LI Zhen-jun ，ZHANG Xi-qing (Key Laboratory of Luminescence and