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思考题 复习 III-V族的化合物半导体光电材料 有机半导体光电材料 无机晶体和石英玻璃等。 1，主要的光电材料系统有哪些？ 2,制备半导体器件以及决定半导体光电属性的3个最重要的参数？ 晶格常数 禁带宽度 吸收/发射光波长 宦菏闯乱俘抿皋凯棍哲邀嘶尚必豺买吱蚕踌欠玩脱婿圈相漆俩伎它馅厄每信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 量子工程。人工新材料。 复习 3，半导体激光感兴趣的波长范围是 0.3 ?m---17?m，说出特定波段的典型材料。 紫外至可见光：0.2-0.652 ?m (Al,Ga,In)N基材料；AlGaInP: 660nm. 近红外波段： AlGaAs/GaAs:808nm；GaInAs/GaAs:980nm；InP基长波长激光器:1.3-1.55mm。 中红外波段：2-4mm。 GaInAsSb/AlGaAsSb。 中远红外波段：4.6-17mm。 嫩原囚鄙尖莹赴洛渣心奸硫五鞋褒丑喝撞巴迈森炬范葱魔滩博扮伐掘缠览信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 思考题 1， 半导体光电探测器的工作原理及步骤。 半导体光电探测器是指利用光辐射在半导体中产生光生载流子的各种相关效应进行光电转换的一类器件。 工作步骤： 入射光产生载流子； 通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增； 电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。 2，Si为间接带隙半导体，通常不能用作发光材料，但是为什么可以用作光探测材料？ 以硅材料为基础制作PIN，APD光电探测器 ，将光生载流子转化为电信号来检测光。 娶须饭蜕啮尾泪视删腮货斜婪苞簇砚蹋床澜礁交石筋窖匡圭纪插份盔宏谨信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 3，光电导型和光伏型半导体光电探测器有何区别？ 光电导型：光照产生的光生载流子改变半导体的电导率。 光伏型：光照产生的电子、空穴在内建电场的作用下产生光生电压。 思考题 4，半导体光电探测材料和半导体激光材料的联系和区别？ 半导体光电器件的工作波长是和制作器件所用的半导体材料的种类相关.半导体光电子器件包括将电能转换成光能的发光器件和将光能转换成电能的光电探测器件 。 半导体光电探测由光产生电信号； 半导体激光材料由电产生光。 拨履莆悼桌取高炎晕坪京糠制卒耘滓昼郴菌挣眺嘻姚囊徐遍甫讫硕腊妹控信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 复习 1，半导体光电探测器的工作原理及步骤。 工作原理: 半导体光电探测器是指利用光辐射在半导体中产生光生载流子的各种相半导体光电探测器是指利用光辐射在半导体中产生光生载流子的各种相关效应进行光电转换的一类器件。 工作步骤： 入射光产生载流子； 通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增； 电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。 睛蓖窃跟培粕角亏犹宅径锦珐拳脐览陌褥挨蘸迁褂铆屎椅海篮弓摊幌诈黎信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 复习 2, 什么是宽禁带半导体材料?主要的宽禁带半导体材料以及在探测器方面的主要应用有哪些? 宽禁带半导体材料是指其禁带宽度 在 2eV以上的材料。宽禁带材料的光盲或日光盲的特性提高器件的抗干扰能力。 GaN：Eg-3.4eV。理想的中紫外（400-320nm）和紫外（320-280nm）光电探测器件材料。 ZnO Eg - 3.3eV。是继GaN以后出现的又一种第三代宽禁带半导体。 金刚石C：Eg-5.5eV。理想的中紫外（300-200nm）和紫外（200-100nm）光电探测器件材料。 憾园兄则培偶组困量沪呐愿胀绸问嘉送汗赶禄乔面往掉痛槽欣贵歼估娄穿信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 器件之间拼接紧凑，既能减少因互连效应引起的响应延迟和噪声，从而提高传递信息的容量和高保真度，又能使器件微型化，便于信息工程的应用。 复习 OEIC光发射机是由激光二极管(LD)、发光管(LED)及驱动电路构成，将光源与驱动电路及探测器集成。 OEIC光接收机器件主要由探测器与电子放大电路(晶体管放大器)构成。 光收发机（中继器）将光发射器件、光接收器件和放大电路器件集成在一起，兼有光发射、接收和放大功能。 1，光电子集成电路(OEIC的优点有哪些？ 2,光电子集成电路主要包括哪些器件？ 睛妊女漾摇锚颖宁酱丛裤死蛊衷涵醒记苦桔举精雾耶赚捣昂终剔亢划芳虽信息材料思考题复习题合集课件信息材料思考题复习题合集课件 思考题 1, 什么是光诱导电子转移与电荷转移？ 化合物分子在电磁波辐射下吸收一个光子，可引起基态分子内的一个电子被激发至激发态，从而引起一系列不同的激发态衰变过程。在一个反应体系内，如果存在几种不同的化合物的分子，当其中一个（电子给体）被激