第3章MOSFET版图设计.ppt

沟道附近的扩散区 一般N阱不应该靠近匹配NMOS，防止N阱杂质分布的尾部与匹配晶体管沟道相交。 PMOS晶体管应位于N阱区域的内部，防止横向扩散引发背栅掺杂发生变化。 深扩散区会影响附近MOSFET的匹配，这些扩散区的尾部会延伸相当长的距离超出它们的结，由此引入的过量杂质会使附近的晶体管的阈值电压和跨导发生改变。所以侧阱等深扩散区应远离匹配的沟道。 沟道附近的扩散区 匹配的金属线 MOSFET周围金属连线版图的不同也会引入大的失配。这种失配的原因在于结构上方存在（或缺少金属），导致了不完全的氢化。 热效应和应力效应引起的梯度 另一种重要的失配类型是由距离上的梯度引起的。 1. 氧化层厚度梯度： 相距较近的器件具有非常相近的氧化层厚度，但是相距较远的器件氧化层厚度有很大的区别，这些差别直接影响了阈值电压的失配。 2. 应力梯度： 应力使载流子的迁移率发生变化。 3. 热梯度： 如阈值电压随温度升高而降低，速率大约-2mV/℃。 避免梯度引起的不匹配：让器件靠近并采取共质心的布局 匹配原则四 共质心 热效应梯度 远离power器件（热源），并以热源为公共质心布局。 MOSFET匹配 共质心版图 梯度 影响依然存在！ MOSFET匹配 一维交叉耦合 氧化层厚度梯度 MOSFET匹配 四方交叉（二维） MOSFET匹配 共质心版图 Vin1 Vin2 S D1 D2 D1 D1 D2 D2 dummy dummy Guard Ring Guard Ring 第 3 章 MOSFET版图设计 集成电路版图基础 本章主要内容 MOSFET的版图样式 功率MOSFET MOSFET的匹配 CH4 MOSFET版图样式 长沟道MOSFET MOSFET版图样式 宽沟道MOSFET D D D S S S MOSFET版图样式 MOSFET版图样式 源/漏公共端合并 MOSFET版图样式 宽沟道器件叉指结构 叉指结构减小了源漏面积和栅极电阻。 MOSFET版图样式 加上背栅接触孔的叉指结构 被分成偶数个部分的晶体管具有奇数个源漏端。一般我们把两端的叉指作为源区（这样源比漏多一个），这样方便在任意一端或者两端打背栅接触孔，并且减少了一个漏端（漏端电容对电路频率特性的影响通常大于源） MOSFET版图样式 与非门版图 这个版图有哪些地方可以改进？ MOSFET版图样式 合并源/漏 背栅接触 去除不必要接触孔 MOSFET版图样式 以增大源区电容为代价减小漏区电容，以增加开关速度和频率响应。 环形器件版图 MOSFET版图样式 背栅接触 MOSFET版图样式 晶体管需要对背栅进行电气连接，没有背栅接触孔或背栅电阻过大的晶体管很容易发生闩锁效应。 （比较：保护环占用的面积较大，并不是每一个单元周围都设保护环，但是必须都给背栅打电位） MOSFET版图样式 叉指状背栅接触孔 MOSFET版图样式 MOSFET版图样式 本章主要内容 MOSFET的版图样式 功率MOSFET MOSFET的匹配 CH4 功率MOSFET 参杂浓度恒定的突变结的电场强度曲线 可以看出增加管子工作电压VDS的主要办法是增大耗尽区的宽度xd，即需要更轻参杂的漏区。 具有扩展漏区的MOS管 Lateral DMOS (LDMOS) Using LOCOS CMOS Technology Lateral DMOS (LDMOS) Using LOCOS CMOS Technology 本章主要内容 MOSFET的版图样式 功率MOSFET MOSFET的匹配 CH4 MOSFET匹配 模拟电路需要匹配，匹配的MOS管（如差分对，电流镜），以及匹配的电阻、电容，甚至匹配的整个放大器。 匹配原则一 大尺寸 同样的绝对误差，大尺寸的相对误差小。 匹配原则二 方向一致 1. 半导体沿不同晶轴呈现各向异性的应力，应力影响迁移率，从而不同方向的MOS管表现出跨导等参数的不同。 2. 倾斜的离子注入导致不同方向上轻微的不对称。 方向影响匹配的原因 匹配原则三 周围的环境一致 Dummy Dummy 使用虚拟器件（Dummy）使周围环境一样 Dummy器件 扩散和刻蚀效应 在工艺中刻蚀速率并不是总是一致的，开孔越大，刻蚀速率越快。如图所示的M1、M3管的外边缘刻蚀比M2对应的刻蚀更为严重，所以M1、M3的栅长比M2的稍微短一点。