第4章半导体分立器件.ppt

第4章 半导体分立器件 4.1 半导体分立器件的命名方法 4.2 半导体二极管 4.3 半导体三极管 4.4 场效应晶体管 4.5 晶闸管 4.1 半导体分立器件的命名方法 4.1.1 国产半导体分立器件的命名法 根据根据国家标准─半导体器件型号命名方法（GB 249-74），半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表4-1。 4.1.2 国际电子联合会半导体器件命名法 国际电子联合会半导体器件型号命名方法如表4-2所示。 4.1.3 美国半导体器件型号命名法 美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表4-3所示。 4.1 半导体分立器件的命名方法 4.1.4 日本半导体器件型号命名法 日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS-C-702）命名的。 日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表4-4所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。 4.2 半导体二极管 二极管在电路中一般用VD表示，常见二极管的图形符号如图4-1所示。 4.2.1 半导体二极管的分类 二极管品种很多，大小各异，仅从外观上看，较常见的有玻璃壳二极管、塑封二极管、金属壳二极管、大功率螺栓状金属壳二极管、微型二极管和片状二极管，如图4-2所示。 按其制造材料的不同，可分为锗管和硅管两大类，每一类又分为N型和P型。 4.2 半导体二极管 按其制造工艺不同，可分为点接触型二极管和面接触型二极管。 按功能与用途不同，可包括检波二极管、整流二极管、开关二极管，稳压二极管、敏感二极管（磁敏二极管、温度效应二极管、压敏二极管等）、变容二极管、发光二极管、光电二极管和激光二极管等。 4.2.2 半导体二极管的主要特性参数 表征二极管性能的参数较多，且不同类型二极管的主要参数种类也不一样。一般常用的检波、整流二极管具有以下4个参数： 4.2 半导体二极管 1．最大整流电流IF 最大整流电流IF，也称二极管的额定正向工作电流，指的是二极管长期连续正常工作时允许通过的最大正向平均电流值。使用时，流过二极管的平均电流不能超过这个数值，否则二极管就会发热而烧毁。 2．最高反向工作电压URM 最高反向工作电压URM是指反向加在二极管两端而不致引起PN结击穿的最大电压。使用中应选用URM大于实际工作电压2倍以上的二极管，如果实际工作电压的峰值超过URM，二极管将被击穿。 4.2 半导体二极管 3．反向饱和漏电流IRM IRM指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流。由于载流子的漂移作用，二极管截止时仍有反向电流流过PN结，该电流受温度及反向电压的影响。IRM越小，二极管的单向导电性能越好。 4．最高工作频率fM fM是指保证二极管单向导电作用的最高工作频率。由于PN结的结电容的存在，使二极管所能应用的工作频率有一个上限。若信号频率超过此值，管子的单向导电性将变坏。 4.2 半导体二极管 4.2.3 几种常用半导体二极管 1．整流二极管 整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管多数采用平面接触型，硅材料制成金属封装或塑料封装的二极管，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结的结电容比较大，一般应用于频率不高的电路中。 2．检波二极管 检波(也称解调)二极管是利用PN结单向导电性，将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用在半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中。检波二极管多采用点接触结构，多采用玻璃或陶瓷外壳封装，以保证良好的高频特性。 4.2 半导体二极管 3．开关二极管 开关二极管就是为在电路中实现“开”或“关”二设计制造的一类二极管。开关二极管具有单向导电的特性，在正向偏置下导通，且导通电阻很小，约几十至几百欧；在反向偏置下截止，且截止电阻很大，硅管在10兆欧以上，锗管也有几十至几百千欧。利用这一特性，开关二极管在电路中对电流起到“接通”或“关断”的开关作用。开关二极管多以玻璃或陶瓷外壳封装，具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用在自动控制电路中。 4.2 半导体二极管 4．稳压二极管 稳压二极管，是利用PN结反向击穿后，其端电压在一定范围内基本保持不变的特性而制成的。稳压二极管是一种齐纳二极管，在电路中专门用来稳定电压的。稳压二极管一般采用硅材料制成，其封装形式有塑料封装、金属封装和玻璃封装。目前应用较多的为塑料封装稳压二极管。 稳压二极管的主要参数是稳定电压UZ和最大工作电流IZM。 4.2 半导