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第4章根轨迹1
第四章? 根轨迹法 内 容 提 要 知 识 要 点 §4.1 根轨迹的基本概念 4.1.1? 什么是根轨迹 §4.2 绘制根轨迹的基本原则 4.2.1 开环零极点与相角条件 4.2.2 基本规则 绘图示例 对上式求导可得: (2) (3) 由于 式(3)变为: (4) 从上式中解出s,即为分离点d。 当l条根轨迹分支进入并立即离开分离点时,分离角可由下式决定: 分离角定义为:根轨迹进入分离点的切线方向与离开分离点的切线方向之间的夹角。 规则5:两条或两条以上根轨迹分支在[s]平面上相遇又立即分开的点,称为根轨迹的分离点。分离点坐标d是下列方程的解: 分离角为 必须说明的是,方程只是必要条件而非充分条件,也就是说它的解不一定是分离点,是否是分离点还要看其它规则。 规则6 :根轨迹的出射角和入射角 根轨迹从某个开环极点出发时的切线与实轴的夹角称为出射角,根轨迹进入某个开环零点的切线与实轴的夹角称为入射角,用相角条件不难证明,根轨迹从开环极点pi出发 根轨迹进入某个开环零点Zl的入射角为: 根轨迹与虚轴的交点是临界稳定点,该点的坐标jω0和增益K0是很重要的,将s=jω代入闭环特征方程,令特征方程的实部和虚部分别等于零,可以解出ω0和K0 。用劳斯(Roth)判据也可以求得K0 。 规则7 :根轨迹与虚轴的交点 方法1:解析法 系统闭环特征方程式为: 令 代入上式,可得: 令: 联立求解,即可求得交点处的 值和 值。 方法2:Routh 判据法 首先根据闭环特征方程式的各项系数列写出Routh表,然后令Routh表第一列中包含 的元素项为零,即可解得根轨迹与虚轴的交点处的 值 此外因为一对纯虚根是数值相等、符号相反的根,所以利用Routh表中 行的元素为系数构成辅助方程,必可解出纯虚根的值,这就是根轨迹与虚轴交点处的 值。若根轨迹与虚轴有二个以上的交点,则可用Routh表中幂大于2的s偶次方行的系数构造辅助方程,解出各交点处的 值。 规则8: 闭环极点的和与积 系统的闭环特征方程在nm的一般情况下,可以有不同形式的表示 在开环极点确定的情况下,这是一个不变的常数。所以,随着 的增大(或减小),若一些闭环特征根在[s]平面上向左移动,则另一些闭环特征根必向右移动,且在任一 下,闭环特征根之和保持常数不变。此规则可用于判断根轨迹的走向。 闭环特征根之积与开环零、极点有如下关系: 对应于某一 值,若已知某些闭环特征根,利用上述结论有助于求出其它闭环特征根。利用上述结论,也可估计当 变化时,根轨迹的走向。 4.3 绘制根轨迹举例 有了以上绘制根轨迹的基本法则,在已知系统的开环零、极点(开环传递函数)的情况下,利用这些基本法则,就可以迅速准确地确定出根轨迹的主要特征和大致图形。如果需要,再利用根轨迹方程的相角条件。利用试探法确定若干点,就可以绘制出准确的根轨迹。 绘制根轨迹的一般步骤为: 根据给定的开环传递函数,求出开环零、极点,并将它们标在复平面上; 确定根轨迹的分支数及趋于无穷远处根轨迹的条数; 确定实轴上的根轨迹; 确定根轨迹的渐近线; 确定根轨迹的分离点; 计算根轨迹的出射角和入射角; 确定根轨迹与虚轴的交点; 大体绘出根轨迹的概略形状; 利用对称性画出上、下复平面的根轨迹; 利用闭环特征根之和、之积的性质估计根轨迹的走向; 利用相角条件试探确定根轨迹上某些点; 某些系统在复平面上的根轨迹为圆或圆的一部分时,求出圆心和半径。 必要时,对根轨迹进行修正,以画出系统精确根轨迹。 根轨迹的上述规则对绘制根轨迹很有帮助,尤其是手工绘图,根据规则1~4就能很快地画出大致形状,再按规则7求出临界增益K0,这样的根轨迹图就很有用了,我们称这样的根轨迹图为概略图,一般手工画根轨迹的习题(考题)就是指这种概略图。 除非系统阶次很低,否则手工解方程求分离点决非易事;手工求出射角和入射角也不太好操作,并且出射角和入射角的意义并不大,因为它仅仅反映了开环极、零点处根轨迹的走向,稍远一点就不起作用了。 按7个基本规则绘制根轨迹图 解:首先,系统有三个无穷远零点,有三个开环极点:p1=0,p2=-1,p3=-2,将它们标在复平面上(见图4-5),开环极点的位置用×表示(开环零点的位置一般用○表示)。根据规则1和2,根轨迹将有3支,分别开始于这三个开环极点,趋向无穷远。 图4-1 反馈控制系统 例2:试绘制图4-1所示负反馈控制系统的K变化时闭环根轨迹略图,设其开环传递函数为:
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