第二章__变频器基础.ppt

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第二章__变频器基础

第二章 电力电子器件 2.1 功率二极管(D) 功率二极管的内部是P-N或P-I-N结构 ,图示为功率二极管的电路符号和外形。 a) b) c) 图2-1 功率二极管的符号和外形 a) 功率二极管的符号 b) 螺旋式二极管的外形 c) 平板式二极管的外形 2. 伏安特性 功率二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性,其伏安特性曲线如图所示。 正向特性:当从零逐渐增大正向电压时,开始阳极电流很小,当正向电压大于0.5V时,正向阳极电流急剧上升,管子正向导通。 反向特性:当二极管加上反向电压 时,起始段的反向漏电流也很小,而且 随着反向电压增加,反向漏电流只略有 增大,但当反向电压增加到反向不重复 峰值电压值时,反向漏电流开始急剧增 加。 2.2 晶闸管(SCR) 2.2.1 晶闸管的结构 晶闸管是四层(P1N1P2N2)三端(A、K、G)器件,其内部结构和等效电路如图所示。 a) b) c) 图2-3 晶闸管的内部结构及等效电路 a) 芯片内部结构 b) 以三个PN结等效 c) 以互补三极管等效 晶闸管的外形及符号 a) b) c) 图2-4 晶闸管的外形及符号 a) 晶闸管的符号 b)螺栓式外形 b)带有散热器平板式外形 2.2.2 晶闸管的导通和阻断控制 晶闸管的导通控制: 在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压,同时在它的门极和阴极间也加正向电压形成触发电流,即可使晶闸管导通。 导通的晶闸管的阻断控制: 令门极电流为零,且将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性 晶闸管的阳极与阴极间的电压和阳极电流之间的关系,称为阳极伏安特性。 图2-5 晶闸管的阳极伏安特性 2.2.6 晶闸管触发电路 1.晶闸管对触发电路的要求 ① 触发脉冲应具有足够的功率和一定的宽度; ② 触发脉冲与主电路电源电压必须同步; ③ 触发脉冲的移相范围应满足变流装置提出的要求。 2. 触发电路的分类 触发电路可按不同的方式分类,依控制方式可分为相控式、斩控式触发电路;依控制信号性质可分为模拟式、数字式触发电路;依同步电压形成可分为正弦波同步、锯齿波同步触发电路等。 2.2.7 晶闸管的保护 1.晶闸管的过电流保护 1) 快速熔断器保护 (见下图) 2)过电流继电器保护。过电流继电器可安装在交流侧或直流侧。 3)限流与脉冲移相保护。 2. 晶闸管过电压保护 晶闸管过电压产生的原因主要有:关断过电压、操作过电压和浪涌过电压等。对过电压的保护方式主要是接入阻容吸收电路、硒堆或压敏电阻等。图2-8为交流侧接入阻容吸收电路的几种方法。硒堆或压敏电阻的联结方法与此相同。 交流侧接入阻容吸收电路的几种方法 图2-8 2.3 门极可关断晶闸管(GTO) 2.3.1 GTO的结构 GTO的结构也是四层三端器件 图2-9 GTO的结构与符号 a) GTO的结构剖面 b) 图形符号 2.3.3 GTO的门极控制 GTO的门极控制电路包括开通电路、关断电路和反偏电路。 图2-11 门极控制电路结构示意图 2.4 功率晶体管(GTR) 2.4.1 GTR的结构 a) b) c) 图2-14 GTR 摸块 a) GTR的结

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