集成平面MOS和沟槽MOS优势于一身的线性MOSFET-Infineon.PDF

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2017-08-23 发布于天津
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集成平面MOS和沟槽MOS优势于一身的线性MOSFET-Infineon

AN_201705_PL11_005 集成平面MOS 和沟槽MOS 优势于一身的线性 MOSFET 关于本文档范围和目的 OptiMOS™线性FET 既有平面MOSFET 的宽SOA 优势，又有现代沟槽MOSFET 的行业最低 RDS(on) 优势。它是热插拔应用电熔丝和电池保护应用的理想解决方案，此类应用要求低导通损耗，并且必须在不降低器件性能或不损坏器件的前提下处理高启动电流能力。本应用说明详细阐释了OptiMOS™线性FET 的技术原理，并讨论了其与标准沟槽MOSFET 的主要区别。目标受众电源设计人员内容关于本文档 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 简介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 关于“线性模式”和“线性区域”的澄清 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 3 平面和沟槽MOSFET 的安全工作区(SOA)比较 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 4 应用描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 5 OptiMOS™线性FET 与标准OptiMOS™功率MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5.1 安全工作区(SOA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5.2 典型转移特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 5.3 典型栅极电荷 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .