A由器件手册查知该参数测试条件.DOC

概述 BJ2922B型场效应管参数测试仪系BJ2922A的改进型，与原机型相比，优化了线路设计，改进了结构布局，选用了进口琴键开关，整机性能有所提高。测试结果以三位半数字表显示，使用方便，维护简单。 本仪器既可用于器件生产厂器件性能出厂检验，又可用于车间生产中间测试；也可用于整机生产厂器件进厂性能复验，是一种适用面较广的常用检测设备。 本仪器可用于J型或MOS型小功率（300mW以下）场效应管单管或对管常用参数测试，如gm（gfs）、饱和漏电流IDSS、夹断电压VP（Vgs（off））或开启电压VT（Vgs（th））。 只要事先预置好被测器件给定测试条件，按下被测参数键，就可直接由显示器上读出被测参数值。具有使用简单，测试快速，精度高的特点。 本仪器测试方法符合国家标准“GB4586-84场效应晶体管测试方法”规定。 工作特性 额定使用条件及规格 环境温度：0～40℃ 环境湿度：40℃　20～90%RH 大气压强：86～106KPa 供电电压：220V±10% 50Hz±5% 外电磁干扰：应避免 阳光照射：应避免直射 通风条件：良好 工作位置：水平或前仰15° 外形尺寸：340×133×300（㎜） 重量：≈5㎏ 工作时间：连续工作8小时 预热时间：15分钟 消耗功率：不大于12W 参数测试范围 漏源电压VDS：±（1.5～15V） 误差：±（2%VX+1%VM） VX——电压设定值（或读数） VM——电压满度值 饱和漏源电流IDSS：0～20～100mA 误差：±（2%IX+1%IM） 夹断电压VP或开启电压VT：0～10V 误差：±（2%VX+1%VM） 测试电流IDS为：1，10，50 低频正向跨导gm：1～20mS（扩展后为40mS） 误差：±（3%gmx+1%gmM） 测试条件VDS：1.5～15V IDS：0～10mA f：1000Hz 10mV 测试原理 饱和漏源电流IDSS 定义：栅源电压为0（Vgs=0），漏源电压为规定值时的漏极电流称为IDSS。 测试原理 见图1 说明 先设定VDS、Vgs满足测试条件，再按下IDSS键测试参数。 夹断电压VP或开启电压VT 定义：漏源电压VDS和漏源电流IDS为规定值时，栅—源间的电压值称为VP（耗尽型）或VT（增强型）。 测试原理 见图2 说明 先设定VDS，IDS满足测试条件，再按下VP(T)键测试参数。 低频正向跨导gm 定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导gm。 测试原理 见图3 图中 ＜＜＜＜ CD——输出交流短路 Cg——输入耦合电容，其值应足够大，保证栅极小信号通过 gm——△IDS/△Vgs=V测/（RD×Vgs） 式中　　若Vgs=10mV，RD=100Ω，V测=1mV 则gm=V测/（Vgs×RD）=1mV/(10mV×0.1kΩ) =1mS 单位：mS——读作毫西门子 说明 先设定VDS、Vgs（或IDS）、f（1000Hz固定频率，机内已保证） 满足测试条件，再按下gm键测试参数。 方框图及单元电路 整机方框图 见图4 整机由A1～A12等单元电路及参数测试转换电路组成， 其中主要单元有： 单元电路 A1——1kHz振荡器及±15V机内电源 A2——15V可调电源（被测管） ±5V工作电源 A3——选频放大器、检波器 A4——IDS（）源 A5——Vgs（被测管栅极工作电压） A6——琴键开关（参数转换） A7——DC校（调节） A8——AC校（调节） A9——gm×2 A10——IDSS×10 使用说明 面板旋钮位置 整机出厂时，面板旋钮位置预置于下列位置（可供平时使用参考） 电源开关——关（倒向左侧） VGS——地键（中）按下 VGS调节——反钟向到底 VDS——N+键按下 VDS调节——反钟向到底 IDS（）——10键（中）按下 校——DC键按下（显示器右侧） 参数选择（位于显示器下面，简称下排）——校键按下 使用性校准 接通整机电源（电源开关由左侧倒向右侧），预热15分钟，然后 顺便校准一下整机（步骤简单，但是十分必要）。 DC校准：先按下参数选择（下排）中的校键（前已设定），再按下显示器右侧校中的DC键（前已设定），显示器显示应为100.0±0.1，否则应微调其下方暗孔中的电位器（220Ω） AC校准：按下校（显示器右侧）中的AC键，显示器显示应为100.0±0.1，否则应微调其下方暗孔中的电位器（100Ω） 至此，校准已毕，参数测试工作即可开始进行。 注：上述DC、AC校准工作，通常需要重复进行几次。另外，当 参数测试工作持续时间较长时，上述校准工作还可随时返回再进 行一次，这样其测试结果就变得更为有效。 参数测试 本仪器可测试场效应管IDSS、VP(T)、gm三个参数，通常应根据场 效应