MOCVD沉积AZO透明导电膜於N-Si基板上之特性-中华科技大学.PDF

Journal of China University of Science and Technology Vol.42-2010.1 MOCVD 沉積 AZO 透明導電膜於 N-Si 基板上之特性分析 Characteristic Analysis of AZO Thin Films on N-Si Substrates Grown by MOCVD 許能傑 1 林安迪 2 Neng-Jye Hsu An-Di Lin 1 中華科技大學電子工程研究所副教授 2 中華科技大學電子工程研究所研究生 Department of Electronic Engineering China University of Science and Technology 摘 要 本實驗室單片垂直式MOCVD是使用美國 FLUENT 公司的Fluent 6.1軟體模擬 分析並已開發實體完成。本研究目的開發高品質AZO透明導電膜製程，搭配使用 Zn[TMHD] 及 Al[TMHD] 為先驅物，並以氧氣為反應氣體及氬氣為載流氣體在 2 3 N-Si(100)基板上沉積氧化鋅薄膜。使用掃描式電子顯微鏡，霍爾量測設備，光學 薄膜測厚儀，光激發光光譜儀，X 光繞射儀。將上述量測與分析探討載流與反應氣 體流量比例及基座溫度和工作壓力對於影響沉積速率、薄膜品質、晶格方向、薄 膜厚度、表面形貌與電性之間的關連性，以達到薄膜表面的最佳特性。 關鍵詞：氧化鋅、氧化鋁鋅、 MOCVD ABSTRACT In this study, we develop a high-quality AZO thin-film manufacturing procedure, using Zn [TMHD] and Al [TMHD] as precursors, oxygen as reacting gas and argon 2 3 as carrier gas, todeposite ZnO thin films on an N-Si (100) substrates. A home-made single-wafer verticalMOCVD system is used. The results are characterized by scanning electronicmicroscope (SEM), Hall effect measurement, photoluminescence (PL), and X-raydiffraction (XRD) to study the ZnO thin films quality. Keyword ：ZnO 、Al-doped ZnO 、MOCVD 13 14 MOCVD 沉積AZO 透明導電膜於 N-Si 基板上之特性分析 一、前言 透明導電膜(Transparent Conducting Oxide, TCO)應用於