NDL购案规范书-国家试验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 均覆性金屬薄膜沉積系統 招標規範書 目錄 頁次 說明 3 均覆性金屬薄膜沉積系統採購規範 3 規格審查文件 10 履約期限 10 驗收標準 10 保固 12 其它 13 圖說 14 說明本規範適用於國家奈米元件實驗室（以下簡稱NDL），依15奈米元件關鍵技術平台計畫，建置採購之均覆性金屬薄膜沉積系統（metal sputter），對於本招標規範書有任何疑問，應依NDL業主需求解釋為準。 均覆性金屬薄膜沉積系統設備規範 設備硬體需求：設備適用於8吋（200mm）單面或雙面拋光晶圓。具備集結式主體結構（cluster mainframe）及以下功能的腔體或裝置︰晶圓預抽腔體（Load lock chamber），晶圓傳送腔體（transfer chamber），轉平邊器（notch aligner），釋氣腔體（degas），潔淨腔體（pre-clean），製程腔體（process）至少可掛三個。所有的質量流量控制器（MFC）為全新品，且為2007年以後製。 所用的真空壓力計為全新品，且為2007年以後製。 機台端的氣體過濾器（Filter）為全新品，且為2007年以後製。 晶圓傳送腔體（transfer chamber）及晶圓預抽腔體（Load lock chamber）：一組（或以上） 腔體 ：需承受製程環境如製程溫度等，且為一體成型的腔體，可執行晶圓傳送及置放，並確保良好的高真空狀態。 真空顯示：配有一組真空計及真空控制器，真空計使用範圍 0托耳（Torr） 至1大氣壓，可偵測最小單位可達1 x 10-8托耳（Torr） 以下。 真空系統：提供晶圓傳送腔體及晶圓預抽腔體的真空，具備抽真空系統與必要之隔離閥門與氣動閥件並含有整合控制系統，真空幫浦需求如下： 前級使用之乾式真空幫浦（Dry Pump） 抽氣速率須達到00 L/min。使用廠牌為EDWARDS、EBARA、ULVAC、ANELVA、ALCATEL…或同等品。 後級使用之冷凍真空幫浦（Cryo Pump） 抽氣速率至少須達到以下規格：4000 L/sec for H2O、1500L/sec for Air。廠牌為CTI、ULVAC、EBARA、ANELVA…或同等級品。 真空度 ：晶圓傳送腔體抽氣12小時內，底壓需可達5 x 10-8 torr，回壓率需小於每分鐘8 mTorr。預抽腔體(含Buffer chamber) 抽氣12小時內，底壓需可達5 x 10-6 torr，回壓率需小於每分鐘1Torr。 預抽腔體抽真空（pumping）及破真空（vent）速率可調整，抽真空時間需於5分鐘以內，真空值需達到10 mTorr以下，使用N2為破真空（vent）氣體， 破真空（vent）至大氣時間小於5分鐘。 機械手臂 （需可承載至八吋晶圓） ： 配有晶圓偵測器，可以偵測晶圓位置以及傳輸臂位置。 經由系統可做旋轉、延伸、升降各方向運動之控制。 須具備由25片標準 Cassette 內自動取放片及晶圓數量偵測（Mapping）功能。 以Ta / TaN鍍膜為主的製程腔體：一組（或以上） 腔體功能： 需具備複濺（re-sputtering）及金屬再游離化（ionized）等，可達成半導體90奈米節點以下製程技術功能的裝置。 可濺鍍Ta材料，並可經由反應性製程濺鍍TaN薄膜。 腔體 ：材質需承受製程環境，可執行晶圓薄膜沈積製程，且為一體成型的腔體，確保良好的高真空狀態。腔體可備有一「具UV阻隔作用」之觀察窗（view port）。 真空系統：提供可執行晶圓薄膜沈積製程之真空，與必要之隔離閥門與氣動閥件並含有整合控制系統，真空幫浦需求如下： 前級使用之乾式真空幫浦（Dry Pump） 抽氣速率至少須達到1600 L/min。使用廠牌為EDWARDS、EBARA、ULVAC、ANELVA、ALCATEL…或同等品。 後級須有專用之冷凍真空幫浦（Cryo Pump） 抽氣速率至少須達到以下規格：3000 L/sec for H2O、1200L/sec for Air。廠牌為CTI、ULVAC、EBARA、ANELVA…或同等級品。 真空顯示：配有一組真空計及真空控制器，真空計使用範圍 0 托耳（Torr）至1大氣壓，可偵測最小單位可達1 x 10-8托耳（Torr）以下。 真空度 ：抽氣12小時內，底壓需可達3 x 10-8 torr，腔體漏率須低於每分鐘3 mtorr；製程中腔體壓力從1 x 10-3 torr 抽至 1 x 10- torr，需小於。 晶圓承載機構：以靜電吸附方式（E-chuck）承載直徑