PN结电容可分为和两种它们之间的主要区别.DOC

1、PN结电容可分为 ? ? 和 扩散电容 两种，它们之间的主要区别 ???? 。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为?，对于窄沟道器件对VT的影响为 。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 。 5、PN结击穿的机制主要有 等几种，其中发生雪崩击穿的条件为 ?VB6Eg/q? 。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。 PN结电击穿的产生机构两种； 10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；、晶体管特征频率定义；、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；、MOSFET短沟道效应种类、扩散电容与过渡区电容区别。截止频率fT 。 耗尽层宽度W。 、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 MOSFET本征电容； 答案：即交流小信号或大信号工作时电路的等效电容，它包括栅漏电容和栅源电容，栅漏电容是栅源电压不变、漏源电压变化引起沟道电荷的变化与漏源电压变化量之间的比值，而栅源电容是指栅压变化引起沟道电荷与栅源电压变化量之间的比值 、截止频率。 答案：对于共基极接法，截止频率即共基极电流增益下降到低频时的倍时所对应的频率值，对于共射极接法，截止频率是指共射极电流增益下降到倍时所对应的频率值，其中有。 1、如何提高晶体管的开关速度？ 改善晶体管频率特性的主要措施。 热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。 1．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子施主N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散漂移nopo=ni2标志着半导体处于 平衡nopo改变否？ 不变nopo改变否？ 改变复合效应非平衡载流子的平均生存时间复合中心禁带 ，寿命τp为 。/view/2969010.htm 5． 迁移率扩散系数 ，称为 爱因斯坦电离杂质散射 和 晶格振动散射电离施主或电离受主形成的库伦势场温度高影响半导体中载流子浓度和导电类型对载流子进行复合作用为非简并条件； 为弱简并条件； 为简并条件。 12．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN结击穿 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） a： 导体 b： N型 c： P型 d：N型 解释：本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上，导带中的自由电子和价带中的空穴均很少，因此常温下导电能力低，但在光和热的激励下导电能力增强。 n型掺杂半导体的费米能级接近导带底，导带中的自由电子数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于电子导电为主的半导体。 p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶，价带中的空穴数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于空穴导电为主的半导体 2．（10分）n型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示，试解释为什么会出现这样的变化规律。 答案：/view/2975706.htm 在低温下：由于载流子浓度指数式增大（施主或受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时电阻率随着温度的升高而下降。　　 在室温下：由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（晶格振动加剧，导致声子散射增强所致），所以电阻率将随着温度的升高而增大。　　 在高温下：这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。 ， 写出样品在掺杂均匀条件下的方程表达式 写出样品掺杂均匀、光照恒定且被样品均匀吸收条件下的方程表达式 参考资料：/view/ca7b9e50f01dc281e53af0a1.html 热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。（每个图2分） 答案：热平衡时突变PN结的能带图、电场分布如下所示， 反向偏置后的能带图和相应的I