SOILDMOS器件纵向耐压技术的研究进展.PDF

18 5 Vol. 18 ，No. 5 第 卷第 期 功能材料与器件学报 2012 10 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Oct．，2012 年 月 文章编号:1007 － 4252 (20 12)05 － 0403 － 09 SOI LDMOS 器件纵向耐压技术的研究进展 ， ， ， ， 徐光明 郭宇锋 花婷婷 徐跃 吉新春 ( ， 210003) 南京邮电大学电子科学与工程学院 江苏南京 :SOI LDMOS SOI ， 。 摘要 是 高压集成电路的核心器件 而纵向击穿电压是制约其性能的关键 本文 SOI LDMOS ; SOI ， 首先指出了常规 纵向耐压低的原因 然后介绍了 高压器件纵向耐压理论 分析了 SOI ( SOI 、 、 k ) 该理论中三种改善 器件纵向耐压技术 超薄 技术 界面电荷技术 低 介质层技术 的工 ; ， SOI 作原理 而后基于这三种技术 对近年来国内外在 纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总 ， ; 。 结 分析了各自的优缺点 最后对未来技术的发展进行了展望 :LDMOS ; SOI ; ; k ; 关键词 超薄 界面电荷 低 介质 纵向耐压 中图分类号:TN386 文献标识码:A Progress in the Research of Vertical Voltage － Sustaining Technology in SOI LDMOS Device XU Guang-ming ，GUO Yu-feng ，HUA Ting-ting ，XU Yue ，JI Xin-chun (College of Electronics science＆Engineerning ，Nanjing University of Posts and Telecommunications ，Nanjing 210003 ，China) Abstract :SOI LDMOS device is the core of SOI HVIC ，and the vertical breakdown voltage is the key to restrict its performance． First ，this paper points out the rea