何离子敏感半导体器件的研制-上海有机化学研究所.PDF

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2017-08-23 发布于天津
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何离子敏感半导体器件的研制-上海有机化学研究所

第 42 卷第2 期化学学报 VoI. 42 , No.2 1984 年2 月 .ACfI.A CHIMIOA SlKICA Feb. , 1984 何离子敏感半导体器件的研制黄强势方培生 (西安交通大学〉离子敏感半导体器件发展很快，已成为离子选择性电极的一个重要分支bm. 我们用 [533 -3 -10(2) AI 0 0-冠酿为活性 -18-冠酷-6(1) 和二叔丁基苯并并以二苯并膜作绝缘栅 2 S 物质制成两种敏感器件.对这两种敏感器件的特性进行测试，其线性响应范围均为公， lx10- 1M 55mV/pK J 但对铀离子的电位选择性系数分别为氯化饵，响应斜率均为 2 3 1.5xl0- 3.16xl0- 和 • Ag-Ag Ol电极为参比电极与敏感器件封装在一起，这样就充分发挥了敏感器件选用体积小和牢固的特点. 实验仪器与试剂 Ag-Ag Cl电极(西北轻 217 型饱和甘苯电极〈上海电光仪器厂); 小型离子计(自制); 工业学院). -10 -30 (兰州化学物理研一冠酷 -18- 成都化学试剂厂);二叔丁基苯并二苯并 -6( 冠酷三氯化究所);聚氯乙烯(上海燎原化工厂);邻苯二甲酸二丁醋、环己酣、醋酸惶为化学纯 5 5n.om 以上). 氯化铀为分析纯;去离子水(电阻率大于铝、氯化饵 p 敏感器件的制作， 10n.om p