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光照下高电子迁移率晶体管特性分析!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ，
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光照下高电子迁移率晶体管特性分析!
吕永良 周世平
（上海大学物理系，上海 ）
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徐得名
（上海大学通信工程系，上海 ）
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（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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以光照下耗尽型 ／ 高电子迁移率晶体管为例，考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光
*+,-*.,-*.
压效应，采用器件的电荷控制模型，分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、 特性以及跨导的影响 与无
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光照的情况相比较，夹断电压变小，二维电子气浓度增大，从而提高了器件的电流增益，增大了跨导)
关键词：高电子迁移率晶体管，光压，电荷控制模型，二维电子气
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质结器件设计的参考依据)
# 引 言
! 光生载流子、光压
高电子迁移率晶体管（ ）或调制掺杂场效
3456
应管（ ）是一种非常重要的微波器件，它们 图 为 器件的简单的结构示意图 图
578946 # 3456 ) !
具有速度快、噪音低等特性，研究表明，在液氮温度 为典型的 ／ 的能带剖面图 低
*+,-*.,-*.3456 )
下器件本征响应时间在皮秒级，这与液氦温度下的
约瑟夫森结相当 而且在数十吉赫兹的高频下还能
)
获得非常好的低噪音特性 同时，这类晶体管一般采
)
用 族化合物（如 ／ ）异质结构，
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可方便地应用于单片集成电路（ ）和光电集
55=.
［— ］
成电路（ ）中 近年来一些研究表明# ’ ，对诸
74=. )
如3456器件引入光照，能得到一些人们比较感兴
趣的结果，如提高34
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