半导体器件期末试题A2003110分在下图中画出发射区基.PDF

半导体器件期末试题（A）（2003.1） 一、（10 分）在下图中画出发射区、基区和收集区少子分布示意图， 说明晶体管的工作模式和工作条件。 VE n p n np0 （b ） （a ） VC （c ） （d ） 二、（20 分）求 p-n 结长二极管 n 区和 p 区的少子分布，电流分布 I n （x）、I （x）和总电流I。 p 三、（10 分）用费米能级恒定的观点解释平衡 p-n 结空间电荷区的形 成。画出空间电荷取得示意图和平衡 p-n 界的能带图。 四、（10 分）导出饱和电流 I对温度T 的依赖关系。 0 五、（10 分）说明 V=Ф +Ψ -Q /C -Q /C 中的各项物理意义，如果器 TH ms Si 0 0 B 0 件为n 沟 MOST，判断上式右端各项的正负号。 六、（10 分）画出能带图，说明发光管的工作原理。 七、（10 分）画出结型场效应晶体管小信号等效电路图，证明其截至 频率为f =g /2πC 。式中g 和C 分别为跨导和栅电容。 co m G m G ( ) −ax N x N e ，a 为常数。计算 八、（10 分）若 P 型半导体杂质分布为 a 0 自建电势和自建电场。 1 −ax ( ) xB 九、（10 分）npn 晶体管基区杂质分布为N a x N 0 e ，计算基区输运 因子βT 。 ⎛ 1 ⎞xB dx ⎡xB ⎤ 1−⎜ ⎟ ( ) [注]：βT ⎜ 2 ⎟∫ ( )⎢∫N a x dx ⎥ ⎝Ln ⎠0 N a x ⎢⎣0 ⎦⎥ 2 半导体器件期末试题（B）（2003） 一、（15 分）根据载流子漂移和扩散的观点，解释 p-n 结空间电荷区 的形成并画出平衡 p-n 结空间电荷区的示意图。 二、（15 分）GaAs 二极管的顶面上生长一层 AlGaAs 层，对于 GaAs 发 光管来说，有什么好处？ V