含有!掺杂层的SiGepMOS量子阱沟道空穴面密度研究!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 4 $ $##% $ ， ， ， EFG .4 DF . $ 6*H*IJ*K $##% （ ） ###8$?#=$##%=4 $ =%%8#4 03/0 @AB’C30 ’CDC30 $##% 3L(M . @LN1 . ’FH . 含有 掺杂层的!#$ %’! 量子阱沟道 ! 空穴面密度研究! 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 吕 懿 舒 斌 王 伟 姜 涛 王喜媛 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##% $ $ $##% % ! 建立了含有 掺杂层的’()* +,-’ 器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型，并对该模型进行 ! 了数值分析 讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与 掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系，阈值电压 与 掺 . ! !/ ! 杂层杂质浓度 、量子阱沟道载流子面密度 及本征层厚度 等参数间的关系 同时还讨论了准静态时量子阱 0 #1 $( . 空穴面密度 与栅压 的关系 # 2 ! . 1 )’ 关键词： 掺杂层，空穴面密度 ! ： ， ， ()** !$#3 !$45 !$#6 7 引 言 $ 7 空穴面密度模型 图 为典型的 量子阱器件结构 由于表面散射的影响，表面沟道金属 氧化物 ’()* +,-’9:/ 8 8 示意图 空穴量子阱沟道在 与本征 （ ）的 半导体（ ）器件的载流子迁移率远低于体迁移 . ’()* ’( (8’( ,-’ 异质结界面处窄禁带’()* 一侧，掺杂层为重掺杂 率，这对于电流驱动能力的提高显然是十分不利的， ! 的 层， 层上面 层是为了减小 掺杂层电 而且空穴迁移率本身就远小于电子，所以这个问题 ’( ’()* (8’( ! 在 型金属氧化物半导体场效应晶体管（