在常温下硅二极管的门槛电压约为05V导通后在较大电流下的正.DOC

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压 降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 0.1V，导通后在较大电流下的正向压降 约为 0.2V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于 漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与 负载并联，稳压二极管与输入 HYPERLINK /zhuti_power_1.html 电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连 续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场增强。PN 具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏； 其门坎电压 Vth 约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P 型 HYPERLINK /zhuti_bandaoti_1.html 半导体的多子为空穴、N 型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载 流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导 体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性 的 最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向 压降约为 0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙 类、 甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影 响高频信号放大的是结电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三 极管的 β 增加，则 IBQ 增大，ICQ 增大，UCEQ 减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用 直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN 型的三极管，该管 的集电极是 a、b、c 中的 C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则 该放大电路总的对数增益为 80dB，总的电压放大倍数为 10000。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电 路中的三极管，测得管脚电压 Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管 （硅、锗），NPN 型，集电极管脚是 a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压 器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可 视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要 窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ 的负载电阻后，输 出电压降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ 。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏 置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使 VBC＜0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大 类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大 作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负 载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合， 变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察 VO 和 VI 的 波形，则 VO 和 VI 的相位差为 180°；当为共集电极电路时，则 VO 和 VI 的相 位差为 0。 32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。 33、晶体管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结正偏；工作在放大区时，集 电结反偏，发射结正偏。 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电 压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压 同