寸高密度电浆辅助化学气相沉积系统HDPCVD简介.PPT

下载文档

8
0
约1.77千字
约 5页
2017-08-23 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

寸高密度电浆辅助化学气相沉积系统HDPCVD简介.PPT

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

寸高密度电浆辅助化学气相沉积系统HDPCVD简介

8吋高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(HDPCVD)簡介 System Configuration 1. System Maker : Applied Materials.Inc 2. System Model : Centura 5200 3. Serial Number : 35605-03 4. Mainframe : Ultima HDP MF w/Multi-Slot 5. Load Lock : Nerrow Body 6. Wafer Size : 200mm SNNF 7. Chamber Type Quantity : Chamber : A =Ultima Plus Chamber : D = DxZ 8. Other Chambers : Ch#E (MSCD) Ch#F Orienter 9. RF Generator : ETO Generator, RFG-2000-2V 10. RPC : MKS - AX7670 11. Robot Type : HP Robot 12. Turbo Pump : EBARA – ET1600W Recipe D/T T/V step RF (TOP) RF (SIDE) RF (BIAS) Temp AR AR-T O2 SIH4 SIH4-T HDP-1.0K-R 9.5” 1100 1000w 3400w 2900w 400℃ 120 16 133 62 10.6 Item 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Thickness 1114 1025 1043 1025 1010 1033 1094 1007 1060 AVG Range Unif.% Depo rate. N GOF 1046? 107 ? 3.533 6600?/min 1.452 98.86% PROCESS DATA Chamber “A” HDP (HDP 1.0K), Temperature 400 ℃ Depo Rate Chamber “D” DXZ ( PE-OX-1.0K ) Recipe D/T Servo HFRF Temp Spacing SIH4 N2O PE-OX-1.0K-R 8.7” 2.7 Torr 270w 400℃ 550mils 68 2000 Item 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Thickness 1011 1016 1024 1012 1031 1011 1022 1012 1065 AVG Range Unif.% Depo rate N GOF 1023 ? 54 ? 1.689 7055?/min 1.461 99.33 % PROCESS DATA Chamber “D” DxZ (PE-SiO2 1.0K) Depo Rate Results Chamber D 高沈積率製程腔體 Real required 7055?/min 2000?/min Chamber “D” DXZ ( PE-NIT-1.0K-R ) Recipe D/T Servo HFRF Temp Spacing SIH4 N2 NH3 PE-NIT-1.0K-R 7.1” 4.9Torr 620w 400℃ 700mils 220 4000 120 Item 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Thickness 1012 999 1004 1020 1027 1006 1018 990 1010 AVG Range Unif.% Depo rate N GOF 1010 37 1.13 8552?/min 2.02 99.8 Results Chamber D 高沈積率製程腔體 Real required 8552?/min 2000?/min PROCESS DATA Chamber “D” DxZ (PE-SiN 1.0K) Depo Rate