常用电子元器件-自动化实践初步.PPT

变压器性能检测 1.变压器一次绕组与二次绕组的区分 对于降压电源变压器而言，其一次绕组接交流220V，匝数较多，线圈电阻较大，而二次绕组输出电压较小，匝数较少，线圈电阻也小。利用这一特点可以用万用表很容易就判断出一次和二次绕组。 2.变压器的质量检测 从两个方面来考虑，即开路和短路。开路的检查用万用表的欧姆档很容易进行；短路可用空载通电法、串联灯泡法。 3.5二极管 二极管(Diode)是晶体二极管的简称，是一种具有单向导电特性的半导体器件, 其主要特性是单向导电性和非线性，常用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。常用二极管的实物图如下图所示： a)二极管 b)贴片二极管 c)发光二极管 d)双色发光二极管 半导体二极管的工作原理 纯净的、不含杂质的晶体半导体，称为本征半导体。半导体硅和锗是常用的半导体材料。在本征半导体中，掺入少量的五价元素，就形成了N型半导体，其中自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。在本征半导体中掺入少量的三价元素，可以形成P型半导体。其中，空穴是多子，自由电子是少子。 1.有关的基本概念 2.PN结的形成 PN结的形成如下图所示，有三个过程： （1）载流子的浓度差产生的多字扩散：把P型半导体和N型半导体结合在一起，由于交界面两侧载流子浓度不同，多子互相扩散，在P区和N区的交界面就留下了一个没有多子而只有正离子或负离子的区域 （2）空间电荷区的形成：这个正、负离子区使交界面两侧存在电位差，即势垒，它会形成内建电场。 （3）内建电荷区阻止多子扩散，增加少子漂移：在电场作用下，半导体中的载流子会产生漂移运动；当半导体中载流子的浓度不均匀时，载流子会从高浓度区域向低浓度区域产生扩散运动。当这两种运动达到动态平衡时，就形成了PN结，又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层。 二极管的伏安特性 PN结是构成各种半导体器件的基础单元，其主要特性是单向导电性。把PN结封装并引出电极后就构成半导体二极管，又称二极管。 其加正向电压导通，加反向偏置电压截止，具有单向导电性。当外加反向电压过高时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为PN结的反向击穿（电击穿）。 半导体二极管的参数包括最大整流电流 、反向击穿电压 、最大反向工作电压 、反向电流 、最高工作频率 结电容 等。 二极管的主要参数 使用时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压，否则将容易损坏管子。 常用二极管 整流二极管：是利用PN结的单向导电性能，将交流电 变成脉动的直流电的二极管。其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。 稳压二极管:利用二极管反向击穿时，其两端电压基本上不随电流大小变化的特性来起到稳压作用。在电路上应用时一定要串联限流电阻，以避免二极管击穿后电流无限增长，造成器件被烧毁。 发光二极管：是一种把电能变成光能的半导体器件。在电子仪表中常用作显示、状态信息指示等。其符号用LED表示。 选用与检测 检测：对于普通二极管，根据单向导电性表现出来的正向电阻小反向电阻大以及正反向电压的特点，利用万用表进行极性和质量的判别；对于常用的特殊二极管其判别方法类似但也有不同，如发光二极管不发光时，其正反向电阻均较大且无明显差异，故一般不用万用表判断发光二极管的极性。 选用：首先按用途选择二极管类型；类型确定后，按参数选择元件；最后根据压降和温度的要求决定选用硅管还是锗管。 3.6其它半导体分立器件 除二极管以外，半导体分立器件还包括三极管(晶体管)、场效应管、晶闸管等。集成电路(Integrated Circuit)的发展使其退出相当多的应用领域，但受频率、功率等因素制约，分立器件依然是电子元器件家族中不可缺少的成员。 三极管 三极管(Transistor)是晶体三极管的简称，主要用于电路中的信号放大，分为NPN和PNP型两种结构形式。内部均由发射区、基区和集电区构成，各区的引出电极分别称为发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。各区之间有PN结，发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结。 三极管的实物图和图形符号如下图所示： 场效应管 场效应管是一种电压控制型半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、功耗小、抗辐射能力强和便于集成等优点，但容易被静电击穿。 场效应管分为两类：结