《电子技术》试题.doc

填空题 1．N型半导体中 自由电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。 2．二极管最重要的特性是 单向导电性 。 3．给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的__ P__区，电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。 4．半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正 向偏置，集电结 反 向偏置。 5半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压 要大（或高） 。 6．若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的 截止 。 8．造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是 温度变化 。 9．某放大电路在负载开路时，输出4V电压；接入1kΩ负载后，其输出电压降为2V，则放大电路的输出电阻为 1kΩ 。 10．电压并联负反馈使放大电路的输入电阻 减小 ，输出电阻 减小 。 11．二极管具有单向导电特性，其正向电阻远远 小于 反向电阻。当二极管加上正向电压且正向电压大于 死区 电压时，正向电流随正向电压的增加很快上升。 12．半导体的导电能力随着温度的升高而 增大（或增强） 。 13．PN结加反向电压时，其空间电荷区将__变宽_ ，使__漂移__运动占优势。 14．如果放大电路的静态基极电流太大，会产生 饱和 失真。 15．射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是 同相的 。 16．锗 （硅）二极管的正向电压降大小的范围是0.2～0.3（0。6－0。7）V。 17．根据三极管结构的不同，有NPN和__ PNP__两种。 18．PN结的基本特性是 单向导电性 。 19．三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_ 截止 失真。 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 基 区、 发射 区、 集电 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出电极分别是 基 极、 发射 极和 集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相同 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子 空穴 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子 自由电子 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散运动 起削弱作用，对少子的 漂移运动 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。 6、单极型晶体管又称为 MOS 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 1．单相桥式整流电路中，流过负载的平均电流为5A，则流过每个二极管的平均电流为2.5 A。 2．整流是利用二极管的 单向导电 特性。 3．单相桥式整流电路，负载电阻为100Ω，输出电压平均值为10V，则流过每个整流二极管的平均电流为___0.05_A。 4．不加滤波器的由理想二极管组成的单相桥式整流电路的输出电压平均值为9V，则输入正弦电压有效值应为 10V 。 5．理想运算放大器的开环电压放大倍数Au0的数值为_ ∞_，差模输入电阻阻值为__∞_。 6．理想集成运算放大器同相输入端接地时，则称反相输入端为 虚地 端。 7．稳压二极管一般要串 限流电阻 进行工作的。 8．当稳压管稳压电路的输入电压不变，而负载电流减小时，则流过稳压管的电流将__增大_ 。 9．集成稳压器W7815，其输出端与接“地”端的输出电压为__+15V__。 1．组合逻辑电路当前的输出变量状态仅由输入变量的组合状态来决定，与原来状态 无关 。 2．一个“与非”门电路，当其输入全为“1”时，输出为__0___，当输入中有一个为“0”时，输出为___1___。 3．触发器两个输出端的逻辑状态在正常情况下总是 相反 。4．基本R—S触发器的两个输入端都接高电平时, 触发器的状态为 保持 。 14．或非门电路输入都为逻辑1时，输出为逻辑__0__。 15．MOS管是用__栅极电压__ 控制漏极电流的器件。 11”表示 高 ”表示 低 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数