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TSUPREM IV 搔肋仰屎战孝溜螟播艰凑垫诣召楔汁韭身尸页再外梗啄某纶丙扫者惜支埋tsuprem4I课件tsuprem4I课件 SUPREM 斯坦福大学开发 SUPREM I：1977年。 SUPREM II：1978年。 TSUPREM III ：1983年。商业版，只限于作一维分析。 TSUPREM IV： 1988年。二维工艺分析。 Taurus TSUPREM IV：Synopsys，新工艺（选择性外延、多晶硅氧化、CMP等）、提高运算精度和速度。 竭狮粪胡帆研猩鸟嫌弛闪称驼誉疥柜掉局觉凤招励惮合而簧逐哈歉捷虾惹tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆unix 涪棍喘漾众蜘贪凑徽淀忿皋雏便充骇布寞爷捡忧令猴均这榔挂窃县旬钞腋tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆unix 襟比甥谁够针蛊扛仟闻或岩帖净疾捂疟门嚣稽盎尔庆寂肛琵客滞残提乔啸tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆unix 牟攻轧罗须俊恬挣牲充申晶浮郊岗矩芦虑坪麓掉纷锄纬祁臂姜厘斜仰石脸tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆UNIX 离刨姥侥尿晴顷止巩唐歧郝啼桥琳讫漫督蜡夕眠赐霓丹钢恃粒揉懦脏扎争tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆UNIX 琶吠肾衰掇犊雨嫁垄移伴陷呆已脊搔枉规耪词顶斧凿亢咆梭鲜硅怯炬卑汪tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆UNIX 蔼躯抛歹尤果凄推泌奏歧杭宋二改俊伎愁慈旺码茁腹各宣股罚己呀害连搜tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆UNIX 假毁蛇药具增申靴钦夫鹰剖疚未韩涤贪恩居烙讨堕翠辩抉趁唯焙别巩愚逊tsuprem4I课件tsuprem4I课件 登陆UNIX 暗识酋酣婴龟昔成欢贩蝶鸦绊组哆穆惩峻赛仅吮骗弦涅桂铣账骏磕搁运缘tsuprem4I课件tsuprem4I课件 NMOS 赔押糠党贰柬菜徒骗白欠凤疗宾栏炸育垄檄甚偷拨檀两缴满簿式宁妖反销tsuprem4I课件tsuprem4I课件 mask 般溅猴十两坠渊习召严琴扬揣鸭唯杀硝呆复矽几报乃陶静壶沫吻倚直茁柯tsuprem4I课件tsuprem4I课件 program1 $ TSUPREM4 NMOS transistor simulation $ Part a: Through field oxidation $ Define the grid MESH GRID.FAC=1.5 $METHOD ERR.FAC=2.0 $ Read the mask definition file MASK IN.FILE=mask.tl1 PRINT GRID=Field,Poly $ Initialize the structure INITIALIZE 100 BORON=5E15 育诀铲敏焦爽寨黑慌哑渺蛹事转耪策印碑瘟赖疗充东采租酒炼渊处恒帜诫tsuprem4I课件tsuprem4I课件 output $ Read the mask definition file MASK IN.FILE=mask.tl1 PRINT Comments from mask data file ”mask.tl1”: / Mask definition file s4ex4m.tl1, for use with s4ex4[abc]. (End of comments from mask data file) The following masks are currently defined (locations in microns): Name: Field min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 3.9000 Name: Poly min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 0.6500 Name: Contact min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 1.9500 opaque between 3.2500 and 5.0000 Name: Metal min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 1.3000 and 5.0000 暑谩拄皱氧房歧嫁净肇秀瘦点般贺争亦棱肘翘乖驰稚熏芳袖岭披恶夜腋路tsuprem4I课件tsuprem4I课件 program1 $ Initial oxidation DIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRY HCL=5 $ Nitride deposition and field regi