三级管封装系列讲座1.ppt

201002 １ ２０１００２ 第一讲 封装技术的总体介绍 第一讲 封装技术总体介绍 一、封装技术发展的几个阶段 第一代技术：以插装型封装为主，典型代表有双列直插封装DIP(Dual In－line Package)和TO（Transistor Outline)系列封装 DIP-16 TO-8(金属封装） TO-220（塑料封装） 第二代技术：以表面安装类型为主，典型代表有四边引线扁平封装PQFP、塑料小外形封装SOP 一、封装技术发展的几个阶段 第三代技术：配合大规模集成电路的发展，以平面阵列封装形式为主 ，典型代表有焊球阵列封装BGA 、芯片级封装CSP（芯片面积与封装面积比可达到1：1.14，几乎接近相等），多芯片组件封装MCM、多层芯片的3D封装等。 BGA封装 多层芯片的3D封装 二、封装形式的发展趋势 1. 向适于表面贴装技术的形式发展 2. 向高密度、多引脚方向发展 3. 向不对称封装形式发展 4. 向超薄型、小体积方向发展 5. 向多层封装形式方向发展 6. 向柔性封装形式方向发展 柔性封装实例 三、功率器件封装 半导体器件的发展分成了集成电路和分立器件这两大分支。我们的产品属于功率型分立器件，由于有散热的要求，器件体积相对较大，结构也比较简单，采用的封装技术还属于第一代技术，一般以TO系列封装为主。 我公司产品的主要封装形式有TO-3P(H)IS（全包封）、TO-3PN（半包封）、TO-220（半包封）、TO-220F（全包封）、TO-126（半包封）、TO-92（全包封）。 TO-3P(H) TO-3P(N) TO-220 四、功率器件封装的主要原材料 1、引线框架 2、焊料或导电胶 四、功率器件封装的主要原材料 3、铝丝（或金丝、铜丝） 4、塑封料 装片：将芯片通过焊料（或导电胶） 粘贴到引线框架上  键合：将铝丝（或金丝、铜丝）焊接到芯片和外引线上，使芯片的相应电极通过外引线引出  包封：将塑封料预热软化后，通过包封模具进行注塑，形成塑封外 壳，将芯片和内引线封裹到塑料外壳里，使之与外界隔绝 激光打印：是在塑封体的正面用激光刻出印记，主要是产品型号。 后处理：主要是去除塑封的残留溢料，通常是先用软化液浸泡，然后 用高压水冲击，清洗。 镀锡：是将塑封体以外的裸铜部分镀一层锡，主要目的是提高外引线的易焊性，便于整机焊接。 切筋：是将成联的塑封制品冲切成分立的产品。 测试： 六、几种典型封装的技术特点 1、TO-220封装：属于半包封型。其优点是散热片外露，有利于散热。而中间的引线做为集电极与散热片相连，这样就会使散热片工作时带电。如果为了加强散热效果而外接散热器，则需要在器件散热片与外接散热器之间加装绝缘片，这样就给整机的安装带来了麻烦，这是它的主要缺点。 六、几种典型封装的技术特点 2、TO-220C封装：也属于TO-220型，是仙童公司在引线框架上做了改进，其显著特点是在散热片的颈部有一条燕尾槽，槽里有很多麻点，载片区四周有很宽很深的防水槽，槽里也有很多麻点。这些麻点是为了增加与塑封料的粘附性，而燕尾槽是为了锁住塑封料，这些设计使塑封料与框架的结合很紧密，抗机械冲击能力提高。 六、几种典型封装的技术特点 TO-220C框架燕尾槽结构的锁料效果和麻坑结构的粘料效果 六、几种典型封装的技术特点 TO-220C与TO-220的比较： A、TO-220C塑封体上的顶针孔位于中间位置， TO-220塑封体上的顶针孔位于左下角（有的厂家塑封体没有顶针孔）。 B、TO-220C框架的散热片厚度为1