中国民航大学低频电子电路第一章.ppt

* 放大区： 对应管子预夹断后的状态 特点： 受控放大 uGS ?则 iD ? 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 （1） 输出特性曲线 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） * 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： 固定uGS，uDS?则iD近似线性? -----电阻特性 固定uDS，uGS变化则阻值变化 -----变阻特性 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 （1） 输出特性曲线 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） * 指uDS为参变量，iD随uGS变化的关系曲线 （2） 转移特性曲线 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 4.特性曲线（以增强型NMOS管为例） 开启电压UGS(th) * 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 （2） 转移特性曲线 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 4. 特性曲线（以增强型NMOS管为例） 开启电压UGS(th) * uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称： 背栅效应 体效应 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 5. 衬调效应（以增强型NMOS管为例） * 耗尽型NMOS管 存在原始导电沟道的FET管 uGS =0时管子内已有的导电通道 转移特性 输出特性 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 6. 其它绝缘栅场效应管 * 特点: 导电载流子为空穴 uGS ，uDS 电压极性及iD电流流向与NMOS管相反 FET管特性汇总表(见书p40-41) 1.4.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 6. 其它绝缘栅场效应管 PMOS管 * 饱和漏极电流IDSS : uGS=0, uDS =?uGS(off) ?时iD的值 夹断电压UGS(off) : iD ?0时的uGS值 开启电压UGS(th) : 增强型管刚开始导电时的uGS值 直流输入电阻RGS: RGS = UGS / IG 耗尽管参数 增强管参数 1.4.3 场效应管的参数及特点 1. 参数 （1）直流参数: * 1.4.3 场效应管的参数及特点 （2）交流参数: 增强型 耗尽型 定义： 跨导 gm 计算： * 背栅跨导 gmb 定义： 计算： 1.4.3 场效应管的参数及特点 （2）交流参数: 输出电阻 rds 定 义： 物理意义：表示uDS对iD的控制能力 几何意义：表示输出特性曲线上工作点处切线斜率的倒数 极间电容：Cgs Cgd Cds ( Cbs Cbd Cbg ) * 在特定工作电流电压下，管子参数的温度系数可以为零 栅源击穿电压 UBR(GS) 漏源击穿电压 UBR(DS) 最大功耗 PDM : 1.4.3 场效应管的参数及特点 1.参数 （3）极限参数: （4）参数的温度特性： * 导电方式 载流子 运动方式 控制方式 输入电阻 漂移 扩散 漂移 压控 流控 高 低 多子 单极型 多子少子 双极型 FET BJT 1.4.3 场效应管的参数及特点 2.特点 * FET BJT 噪声 小 大 抗辐射力 强 弱 热稳定性 好 差 1.4.3 场效应管的参数及特点 2. 特点 * * * 曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线 注意： 临界饱和：UBC=0 （考虑到发射结导通存在门限电压的作用，则： UBC= UBEO ） 临界饱和电压：UCES * 关系 集电极----基极间反向饱和电流ICBO 集电极----发射极穿透电流ICEO 关系：ICEO=(1+ ) ICBO 1.3.5 晶体三极管主要参数 1. 放大参数 2. 极间反向电流 极限电流----集电极最大允许电流ICM 极限电压----U(BR)CBO，U(BR)CEO 3. 极限参数 * 极限功率----集电极最大允许功耗PCM 1.3.