光刻胶涂布与曝光.pptx

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光刻胶涂布与曝光

光刻胶涂布与曝光;正光阻;曝光机理;GF2结构使用干膜光刻胶,采用双面热压roller形式上胶。 膜厚在线不可调控,膜厚由DFR决定,EH 1st DFR 厚度15um,2nd DFR 厚度 30um,不易产生针孔,分辨率低,工艺制程简单。 GG使用湿膜光刻胶,采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。 膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控,厚度1.4um~2.3um,易产生针孔,分辨率高,工艺制程复杂,涂布后需软烘烤后才能曝光。;GF2结构 主要控制参数:压辊温度,压辊压力 主要品质问题:气泡,异物,附着不良 GG结构 主要控制参数:涂布速度,抽泵频率,压辊压力 主要品质问题:膜厚不均,针孔,异物;GF2结构 1st exposure:双面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤,6个对位镜头,双面同时对位 2nd exposure:双面接触式曝光,分辨率低,易造成产品缺陷及mask划伤,4个对位镜头,双面同时对位 GG结构 单面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤, 2个对位镜头,单面对位;;铬版mask(石英基板) 对320-450nm波长有很好的透过率,变形尺寸小,精度高5um,成本高 干版mask (钠钙玻璃基板) 对320-450nm波长有较好的透过率,变形尺寸小,精度较高20um 菲林 对320-450nm波长有的透过率低,变形尺寸大,精度较高30um ;主要控制参数及品质;Mask cleaner (Mask repair) 光强测试仪;The End

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