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光刻胶涂布与曝光
光刻胶涂布与曝光;正光阻;曝光机理;GF2结构使用干膜光刻胶,采用双面热压roller形式上胶。
膜厚在线不可调控,膜厚由DFR决定,EH 1st DFR 厚度15um,2nd DFR 厚度 30um,不易产生针孔,分辨率低,工艺制程简单。
GG使用湿膜光刻胶,采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。
膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控,厚度1.4um~2.3um,易产生针孔,分辨率高,工艺制程复杂,涂布后需软烘烤后才能曝光。;GF2结构
主要控制参数:压辊温度,压辊压力
主要品质问题:气泡,异物,附着不良
GG结构
主要控制参数:涂布速度,抽泵频率,压辊压力
主要品质问题:膜厚不均,针孔,异物;GF2结构
1st exposure:双面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤,6个对位镜头,双面同时对位
2nd exposure:双面接触式曝光,分辨率低,易造成产品缺陷及mask划伤,4个对位镜头,双面同时对位
GG结构
单面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤, 2个对位镜头,单面对位;;铬版mask(石英基板)
对320-450nm波长有很好的透过率,变形尺寸小,精度高5um,成本高
干版mask (钠钙玻璃基板)
对320-450nm波长有较好的透过率,变形尺寸小,精度较高20um
菲林
对320-450nm波长有的透过率低,变形尺寸大,精度较高30um
;主要控制参数及品质;Mask cleaner (Mask repair)
光强测试仪;The End
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