1_06_m大功率连续半导体激光器.pdf

纳米器件与技术 N anoelect ronic Device Technolo gy μ 1. 06 m 大功率连续半导体激光器 任永晓 , 陈宏泰 , 张世祖 , 杨红伟 , 花吉珍 ( 中国电子科技集团公司 第十三研究所 , 石家庄 　05005 1) 摘要 : 利用金属有机化学气相淀积 ( MOCVD) 技术 , 生长了 In GaA s/ Al GaA s 分别限制压应变 双量子阱和单量子阱两种材料结构 , 通过对不同腔长单管激光器的L IV 测试获得内部参数 , 对 μ 单 、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析 , 确定了单量子阱结构作为 1. 06 m 大功率半导 体激光器的材料结构 。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长 、注入电流的关系 , 获得了最 高达到 57 . 5 %的电光转换效率 。对 1 mm 腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试 , 结 果显示研制出的单管激光器室温下在 1 . 5 A 工作电流下寿命远大于 104 h 。 关键词 : 半导体激光器 ; 金属有机化学气相淀积 ; 电光转换效率 ; 加速老化 ; 内部参数 中图分类号 : TN 365 ; TN 304 . 2 3 　文献标识码 : A 　文章编号 : 167 1- 4776 (2009) 04- 0209- 04 μ 1. 06 m High Power CW Semiconductor Lasers Ren Yongxiao ,Chen Hongt ai ,Zhan g Shizu , Yang Hongwei , Hua J izhen ( t h ) The 13 R esea rch I ns t i t ute , CE T C, S hij i az h uang 05005 1 , Chi na Abstract :In GaA s/ Al GaA s sep arat ed confinement het ero st r uct ure co mp re ss st rained double an d single quant um well mat erial s were grow n by t he met al or ganic chemical vapor depo sitio n ( ) μ MOCVD t echnolo gy . The single quant um well mat erial of a 1. 06 m high power CW semicon ductor