二维纳米点阵列的主方程模拟.pdf

维普资讯 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES ．7．No．1 第 7卷第 1期 功能材料与器件学报 2001年 3月 March．200l 文章编号：1007—4252(2001)Ol一0077—04 二维纳米点阵列的主方程模拟 何红波，周继承，胡慧芳，李义兵 (长沙铁道学院信息学院材料研究所，长沙 410075) 摘要：介绍了一种利用正统理论与主方程方法模拟二维量子点阵列的程序。数值计算的结果表 明二维量子点阵在低温下有库仑充 电行为，其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用 前景。 关键词：主方程；单 电子；量子点阵 中图分类号：TN40 文献标识码：A Masterequationoftwodimensionalarrays HEHong—bo， ZHOUJi—cheng，HUHui—fang，LIYi—bing (MaterialsResearchInstitute，CollegeofInformation，ChangshaR~1wayUniversity+Changsha410075，China) Abstract：Inthepaper，asingle—chargetunnelingsimulator，themasterequationsimulator oftwo di— mensional quantum dotarrayusingO~hodoxtheoryandmasterequationmethodisintroduced Thesimul—— atedresultsshow thattwodimensionalquantum dotarrayhaveCoulombchargingeffectatlow temperature． Thequantum functions ofthearrayshow itsresearchvalueandapplicationprospect． Keywords：Masterequation；Singleelectron；Quantumdotarray 1l 々fl：茸 扰动相 比之下可以忽略。然而，当隧道结的结面积缩 单 电子效应的发现可以追朔到 1951年，当时 小到纳米量级后，电子将逐个地穿过隧道结，外界的 Gorier… 在研究粒状金属在低温下的电阻时发现了 扰动影响就会变得突出，其中主要包括热扰动、量子 反常增大的现象，他认为可以引人小电容的充电能 扰动和电磁扰动。要想观察到单 电子隧道效应，必须 来解释这个结果。Giaever与Zecler一I、Lambe与 克服上述三方面的外界扰动 。 JaclevicI在研究超导隧道现象时，分别独立地发现 首先，为使库仑阻塞能抑制电子的热扰动，必须 了在极低温度、低偏压下埋藏于氧化物中的金属颗 满足 2 n 粒样品的电阻表现出异常增大的行为。 ’ KBT (1) ‘乙 单 电子隧道效应、库仑阻塞 以及单电子振荡是